KOSEN 한인과학기술자네트워크

1. Introduction
2. Device Fabrication and Physics
2.1. Preparation of Graphene
2.2. GFETs
2.3. Sensing Mechanisms
3. Terahertz Sensitive GFETs
3.1. Principle of Terahertz Photodetectors Based on Field Effect Transistors
3.2. Theretical Modeling of GFETs for Terahertz Detection
3.3. Charaterization of Terahertz Sensitive GFETs
4. IR Sensitive GFETs
4.1. Recent Development of IR Photodetectors
4.2. IR Sensitive GFETs with Mechanically Exfoliated Graphene
4.3. IR Sensitive GFETs with Graphene Nanoribbons
4.4. IR Sensitive Hybrid GFETs
4.5. IR Sensitive GFETs Based on GO or rGO
4.6. IR Sensitive GFETs Based on Graphene Prepared with Other Methods
5. Visible Sensitive GFETs
5.1. Visible Light Sensitive GFETs Based on Mechanically Exfoliated Graphene
5.2. Visible Sensitive Hybrid GFETs
5.3. Visible Sensitive GFETs Based on GO or rGO
5.4. Visible Sensitive GFETs Based on Other Types of Graphene
6. UV Sensitive GFETs
6.1. Recent Development of UV Photodetectors
6.2. UV Sensitive Hybrid GFETs
6.3. UV Sensitive GFETs Based on rGO or rGO Hybrids
7. Conclusions and Outlook

고성능 광검출기는 의료, 디스플레이, 이미징, 군사, 광통신, 환경모티터링, 보안체크 등의 다양한 분야에서 중요한 역할을 수행한다. 대표적인 2D 소재인 그라핀은 높은 이동도와 넓은 파장 영역에서 빛의 흡수가 가능하기 때문에 테라헤르츠에서 UV까지 응용이 가능한 광검출기가 가능하다. 특히 그라핀 전계 효과 트랜지스터는 고유한 증폭 특성으로 광검출기를위한 변환기로서 훌륭하게 쓰일 수 있다.. 특히 플렉서블, 웨어러블, 프린터블, 그리고 투명 전자소자 관점에서 보면 그라핀의 장점은 더욱 크다고 할 수 있다. 본 리뷰논문에서는 다양한 파장 영역에서 광검출기의 변환기로서 그라핀 트랜지스터의 응용에 대해 최근 연구 결과를 잘 정리하였다