동향

An electronic structure perspective of graphene interfaces

행사&학회소개
1. 서론
2. 그래핀의 전자구조
3. 전자구조 및 전자구조 변형의 특징
4. 그래핀 경계면
4.1. 다양한 합성방법의 소개
4.2. 기계적 박리 및 유전체를 통항 원격 광자 커플링
4.3. 탄화규소 경계면, 분자 및 원자수준 삽입을 통행 밴드갭 조절
4.4. 그래핀/금속 경계면
7. 기기설계를 위한 처리
8. 결론 및 전망
9. 참고문헌

SiC interfaces and band engineering via molecular and
atomic intercalation

B. Mechanical exfoliation and remote phonon coupling with
dielectrics
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그래핀은 페르미 수준 근처에서의 선형 에너지 분산으로 특징지워지는 특이한 전자구조로 인해, 매우 빠른 전달 속도를 가진다. 하지만, 실제 으용에서는 다른 물질과 경계면 접촉을 할 필요가 있으며, 이런 물질로는, 이차원 다층 구조, 금속 - 흡착원자, 나노입자, 확장 표면, 메타물질 구조 등), 유전체, 유기물, 또는 하이브리드 구조가 있다.이러한 나노크기 경계면 구조의 복합성은 흥미로운 현상을 야기시킬수 있으며, 그래핀 전자구조의 변형이 가능하다. 이 논문에서는 다양한 경계면 구축을 통한 그래핀의 전자구조 변형을 위해, 이론적 계산, 전자 분광학, STXM, ARPES, XMCD 기기 등의 방법을 사용한 연구사례들을 리뷰하였다. 또한 경계면 혼성화 등을 통해 밴드갭을 조절하는 접근법도 소개하였다. 경계면과 그래핀의 기하 및 전자구조 사이의 상관관계를 포괄적인 관점에서 볼 수 있으며, 플라즈모닉 아나 광학, 스핀트로닉스, 엔지니어링 고분자, 금속 매트릭스 복합체 등의 체계적 설계가 가능한바, 본 논문을 추천하는 바이다.