Band Engineering for Novel Two-Dimensional Atomic Layers
2015-01-12
org.kosen.entty.User@43f9f53d
이창석(fightleo)
분야
재료
개최일
2014/12/15
신청자
이창석(fightleo)
개최장소
URL
첨부파일
행사&학회소개
1. Introduction
2. Ternary Atomic Layers for Bandgap Engineering: h-BCN and TMDs
3. 2D Heterostructure for Band Engineering: vdW Solids and Lateral Heterostructures
4. Thickness Control for Band Engineering: Dependency on the Number of Layers
5. Summary and Outlook
2. Ternary Atomic Layers for Bandgap Engineering: h-BCN and TMDs
3. 2D Heterostructure for Band Engineering: vdW Solids and Lateral Heterostructures
4. Thickness Control for Band Engineering: Dependency on the Number of Layers
5. Summary and Outlook
보고서작성신청
2차원 구조를 지닌 그래핀 물질의 발견은 사이언스 분야에 큰 파장을 가져왔고, 다양한 2차원 물질 개발로 이어졌다. 2차원 물질에 대한 집중적인 관심이 지속되면서 물질 합성 연구가 광범위하게 진행되었고, 최근에는 2차원 물질의 전기적/화학적 특성 제어 측면에 대한 관심이 증폭되고 있다.
본 리뷰 논문에서는 (1) 2D 물질의 alloying, 즉 세가지 원소로 구성되는 2차원 결정으로 h-BCN (hexagonal carbonized boron nitrides), (2) 2D 물질의 수직 적층화를 통한 헤테로구조 형성 (일명 반데르발스 솔리드라 함) 또는 수평 방향의 TMDs 헤테로 성장, (3) 2차원 물질의 두께 제어등의 3가지 방법을 통해 밴드 구조를 변화시킬 수 있는 가능성을 알아보고자 한다. TMDs 또는 BP(Black phosphorus)와 같은 2차원 물질의 전기적 특성은 그 두께에 매우 민감하게 반응하기 때문에, 이러한 변화를 체계적으로 분석하고자 한다.
본 리뷰 논문에서는 (1) 2D 물질의 alloying, 즉 세가지 원소로 구성되는 2차원 결정으로 h-BCN (hexagonal carbonized boron nitrides), (2) 2D 물질의 수직 적층화를 통한 헤테로구조 형성 (일명 반데르발스 솔리드라 함) 또는 수평 방향의 TMDs 헤테로 성장, (3) 2차원 물질의 두께 제어등의 3가지 방법을 통해 밴드 구조를 변화시킬 수 있는 가능성을 알아보고자 한다. TMDs 또는 BP(Black phosphorus)와 같은 2차원 물질의 전기적 특성은 그 두께에 매우 민감하게 반응하기 때문에, 이러한 변화를 체계적으로 분석하고자 한다.