검토의견
2015-08-22
org.kosen.entty.User@4297940d
박영환(yehapark)
어려운 내용을 분량 이상으로 정리하시느라 고생하셨습니다.
다음 의견을 드리니 참고만 하시어 최종본으로 수정 제출 바랍니다.
2장
'증착 방법' : 증착은 기상상태(증기)를 고체로 석출시키는 방법을 의미하므로 단어를 대체하면 좋겠습니다. '석출 방법' 또는 '성장 방법' 등은 어떨까 합니다. 이하 수 차례 이 단어가 나옵니다.
습도가 30%의 향상된 ‘reconstruction’ 과정 --> 습도가 30%에서 ‘reconstruction’의 향상된 공정
3장
그러나 페로브스카이트 박막의 Br-rich와 Br-poor한 영역 사이의 상 분리가 나타날 수 있어 Br와 I가 혼합된 페로브스카이트의 전압을 최 대화시켜야 한다. --> 그러나 페로브스카이트 박막의 Br-rich와 Br-poor한 영역 사이의 상 분리가 나타날 수 있어 Br와 I가 혼합된 페로브스카이트에서 전압을 극대화시키는 것은 어려운 과제이다.
유기(MA) 이온은 --> 유기 이온(MA)은
추적 수준으로 --> 극소량만
triiodide counterpart보다 quality가 더 좋았다 --> triiodide 구조보다 품질이 더 좋았다
이는 전구체 용액에 acetate나 nitrate 이온을 사용하는 것이 더 평탄하고 품질이 좋은 박막을 만들기 때문이다. --> 최근에는 전구체 용액에 acetate나 nitrate 이온을 사용하여 더 평탄하고 품질이 좋은 박막을 만들었다고 보고하여 chloride 이온이 결정성장에 반드시 필요한지는 의문이다.
4장
전도대로 전자를 자극시켜 --> 전도대로 전자를 여기시켜
고체의 intrinsic 페로브스카이트층이 p형과 n형의 선택적 콘택트 사이에 샌드위치처럼 끼워져 있다(그림 1b). --> 고체의 페로브스카이트층이 양쪽에 p형과 n형 접합으로 샌드위치 되어 있다(그림 1b).
주요 광 여기 개체는 bound exciton 또는 자유전자와 홀이다. --> 광 여기 시 생성되는 것이 bound exciton인지 아니면 자유전자와 홀인지가 처음 가질 수 있는 의문점이다.
~10-30cm2V-1s-1 --> ~10-30cm2/Vs (앞쪽 표기방식과 통일)
이분자 재결합이 일어나 자유전자와 홀의 재결합을 통해 지배적인 relaxation pathway가 된다 --> 이분자 반응 방식의 자유전자와 홀의 재결합의 relaxation pathway가 지배적이다
단분자 trap-assisted 재결합이 --> 단분자 반응형인 trap-assisted 재결합이
긴 확산 깊이는 --> 긴 확산 거리는
(교정자 메모) 평면 헤테로 접합이 소자 구조가 --> 평면 헤테로 접합 소자 구조가
5장
Inverted 소자 구조의 경우, 즉 n형 플러렌층이 페로브스카이트 상부에 증착되어 있는 경우, --> n형 플러렌층이 페로브스카이트 상부에 증착되어 있는 Inverted 소자 구조의 경우,
콘택트 --> 접합
6장
‘full AM 1.5 simulated sunlight in ambient air’ --> 'AM 1.5의 대기 조건' 으로 써도 괜찮겠습니다
문제가 되는 Cd-, Te-나 In이 없어 이를 대신할 대안이나 직접적인 Cu2ZnSnSe4 대체재로 여겨질 수 있다. --> 문제가 되는 Cd, Te, In이 없는 좋은 대안이다.
9장
hystereis effect --> hysteresis effect
감사합니다.
다음 의견을 드리니 참고만 하시어 최종본으로 수정 제출 바랍니다.
2장
'증착 방법' : 증착은 기상상태(증기)를 고체로 석출시키는 방법을 의미하므로 단어를 대체하면 좋겠습니다. '석출 방법' 또는 '성장 방법' 등은 어떨까 합니다. 이하 수 차례 이 단어가 나옵니다.
습도가 30%의 향상된 ‘reconstruction’ 과정 --> 습도가 30%에서 ‘reconstruction’의 향상된 공정
3장
그러나 페로브스카이트 박막의 Br-rich와 Br-poor한 영역 사이의 상 분리가 나타날 수 있어 Br와 I가 혼합된 페로브스카이트의 전압을 최 대화시켜야 한다. --> 그러나 페로브스카이트 박막의 Br-rich와 Br-poor한 영역 사이의 상 분리가 나타날 수 있어 Br와 I가 혼합된 페로브스카이트에서 전압을 극대화시키는 것은 어려운 과제이다.
유기(MA) 이온은 --> 유기 이온(MA)은
추적 수준으로 --> 극소량만
triiodide counterpart보다 quality가 더 좋았다 --> triiodide 구조보다 품질이 더 좋았다
이는 전구체 용액에 acetate나 nitrate 이온을 사용하는 것이 더 평탄하고 품질이 좋은 박막을 만들기 때문이다. --> 최근에는 전구체 용액에 acetate나 nitrate 이온을 사용하여 더 평탄하고 품질이 좋은 박막을 만들었다고 보고하여 chloride 이온이 결정성장에 반드시 필요한지는 의문이다.
4장
전도대로 전자를 자극시켜 --> 전도대로 전자를 여기시켜
고체의 intrinsic 페로브스카이트층이 p형과 n형의 선택적 콘택트 사이에 샌드위치처럼 끼워져 있다(그림 1b). --> 고체의 페로브스카이트층이 양쪽에 p형과 n형 접합으로 샌드위치 되어 있다(그림 1b).
주요 광 여기 개체는 bound exciton 또는 자유전자와 홀이다. --> 광 여기 시 생성되는 것이 bound exciton인지 아니면 자유전자와 홀인지가 처음 가질 수 있는 의문점이다.
~10-30cm2V-1s-1 --> ~10-30cm2/Vs (앞쪽 표기방식과 통일)
이분자 재결합이 일어나 자유전자와 홀의 재결합을 통해 지배적인 relaxation pathway가 된다 --> 이분자 반응 방식의 자유전자와 홀의 재결합의 relaxation pathway가 지배적이다
단분자 trap-assisted 재결합이 --> 단분자 반응형인 trap-assisted 재결합이
긴 확산 깊이는 --> 긴 확산 거리는
(교정자 메모) 평면 헤테로 접합이 소자 구조가 --> 평면 헤테로 접합 소자 구조가
5장
Inverted 소자 구조의 경우, 즉 n형 플러렌층이 페로브스카이트 상부에 증착되어 있는 경우, --> n형 플러렌층이 페로브스카이트 상부에 증착되어 있는 Inverted 소자 구조의 경우,
콘택트 --> 접합
6장
‘full AM 1.5 simulated sunlight in ambient air’ --> 'AM 1.5의 대기 조건' 으로 써도 괜찮겠습니다
문제가 되는 Cd-, Te-나 In이 없어 이를 대신할 대안이나 직접적인 Cu2ZnSnSe4 대체재로 여겨질 수 있다. --> 문제가 되는 Cd, Te, In이 없는 좋은 대안이다.
9장
hystereis effect --> hysteresis effect
감사합니다.