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학회보고서 작성안내

Overview of atomic layer etching in the semiconductor industry

2015-11-30 org.kosen.entty.User@6b62981a 전영인(yijhon)
행사&학회소개
. 서론
2. 연속 식각의 한계점
3. ALE 기초
4. 역사적 배경 및 전문용어
4.1. ALE 조건
4.2. 특성화 테스트
5.실리콘 ALE : 케이스 연구
5.1. 배경
5.2.열적 염소화
5.3. 아르곤 이온 폭격
5.4. 비선형 반응
6. ALE를 사용한 물질연구
6.1. 개관
6.2. 실리콘
6.3. 산화물
6.4. III？V 물질
6.5. 다른 물질
7. 전력펄스 발생과의 관련성
8. 전망
9. 참고문헌
보고서작성신청
원자층 식각(ALE)은 자체 제한적인 연속반응을 통하여 물질의 박막층들을 제거하는 기술이다.
반도체의 초고집적화 및 나노 물질의 보다 세밀한 조절의 중요성이 대두됨에 따라 ALE 기술의 필요성은 날로 증가하고 있는 추세이다.이는 반도체 산업에서 ALE는 연속 식각의 대안으로 간주되고 있으며, 원자층 증착의 필수적 반대공정이다. 이 논문은 ALE의 제한조건을 정의하고, 이 분야의 다양한 기술들에 대한 전문용어와 가정과 과정을 명확히 서술하고 있다.
이에 따라 ALE 분야의 초보자가 이 분야의 기술 발전 현황과 연구 개발 방향을 이해하는데 크게 도움이 될 것으로 생각하기에 본 논문을 추천하고자 한다.
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