Fabrication of a Contamination-Free Interface between Graphene and TiO2 Single Crystals
2016-09-26
org.kosen.entty.User@6dcbe112
전영호(gulliver)
행사&학회소개
1. 서론
2. 실험방법
2.1. 원자수준에서 매끄러운 TiO2표면의 제조
2.2. 그래핀의 합성
2.3. 특성화
3. 결과
4. 토론
4.1. 성장조건의 최적화
4.2. 기질의 성장 메커니즘과 역할
4.3. 그래핀과 TiO2 사이의 상호작용
5. 결론
6. 참고문헌
2. 실험방법
2.1. 원자수준에서 매끄러운 TiO2표면의 제조
2.2. 그래핀의 합성
2.3. 특성화
3. 결과
4. 토론
4.1. 성장조건의 최적화
4.2. 기질의 성장 메커니즘과 역할
4.3. 그래핀과 TiO2 사이의 상호작용
5. 결론
6. 참고문헌
보고서작성신청
경계 사이에 흡착질이나 오염물질이 없게, 그래핀과 반도체사이의 균일하고 이음매없는(seamless) 경계면을 형성하는 것은, 전자 및 촉매 반응시스템을 개발하는 데에 매우 중요하다. 본 논문에서는, 화학증착(chemical vapor deposition, CVD) 방법을 사용하여, 원자수준에서 평평한 이산화 티타늄(TiO2) 단결정 표면 위에 그래핀을 부착하려고 하였다. 이렇게 개발된 방법을 통해, 초박막 다결정 그래핀막이 표면에 부착되면서도, 표면 형태를 유지하는 TiO2 화합물을 제조할 수 있었다. 이와 같은 연구결과는 향후 반도체 소자 개발 등의 분야에 적용 활용도가 높을 것으로 생각된다.