1차 검토서에 대한 수정 및 메모 올림
2018-03-10
org.kosen.entty.User@55a356c2
변선호(sonbi9)
검토자님의 열성에 감사드립니다. 아래 언급 없는 것은 모두 검토의견에 따른 것입니다. 아래사항은 다른 의견 또는 구체적 수정 내용입니다.
11번: 중복이므로 검토자께서 지적한대로 제거.
15번: "(MSSC)구조의"는 "(MSSC)셀의"로 수정.
17번:"MAPbI3의 평면형 셀 구조"로 수정.
24. 비페로브스카이트 δ상으로 하였습니다.
32. "화학적 양론을 조정하여"로 수정.
33. 비화학양론적으로 하는 것이 더 정확할 것 같습니다.
34. 다만 모폴로지는 결정 모양의 형태로 오래 사용하여 그대로 사용이
이해가 빠를 것 같습니다만.
35. 예가 많아 이 기술은 설명을 생략.
36. Ref.12번의 그림을 보면 (5-AVA)x(MA)1-x 경우 TiO2 골격 상의 MAPbI3 경우보다 기판(TiO2)의 표면 덮임률이 훨씬 높고 보이드도 훨씬 적습니다. 맨위의 카본 전극 층으로부터 페로브스카이트가 drop casting 되는데도 불구하고 엄청나게 큰 결합력을 설명하기위해 이러한 이론을 붙인 것 같습니다.
45.동의합니다만 제목 열의 칸이 좁아 별표를 썼으므로 주석(Ref.)는 필요합니다.
47.49 고친 것 한번 보아 주십시오.
50~62번: 검토자 님의 성의에 감사드립니다. 끝나는 쪽 번호는 일관성을 위해 안 적었습니다만 검토해 주신 의견대로 반영하였습니다. 대단히 감사합니다. sonbi9 드림
11번: 중복이므로 검토자께서 지적한대로 제거.
15번: "(MSSC)구조의"는 "(MSSC)셀의"로 수정.
17번:"MAPbI3의 평면형 셀 구조"로 수정.
24. 비페로브스카이트 δ상으로 하였습니다.
32. "화학적 양론을 조정하여"로 수정.
33. 비화학양론적으로 하는 것이 더 정확할 것 같습니다.
34. 다만 모폴로지는 결정 모양의 형태로 오래 사용하여 그대로 사용이
이해가 빠를 것 같습니다만.
35. 예가 많아 이 기술은 설명을 생략.
36. Ref.12번의 그림을 보면 (5-AVA)x(MA)1-x 경우 TiO2 골격 상의 MAPbI3 경우보다 기판(TiO2)의 표면 덮임률이 훨씬 높고 보이드도 훨씬 적습니다. 맨위의 카본 전극 층으로부터 페로브스카이트가 drop casting 되는데도 불구하고 엄청나게 큰 결합력을 설명하기위해 이러한 이론을 붙인 것 같습니다.
45.동의합니다만 제목 열의 칸이 좁아 별표를 썼으므로 주석(Ref.)는 필요합니다.
47.49 고친 것 한번 보아 주십시오.
50~62번: 검토자 님의 성의에 감사드립니다. 끝나는 쪽 번호는 일관성을 위해 안 적었습니다만 검토해 주신 의견대로 반영하였습니다. 대단히 감사합니다. sonbi9 드림