2019 IEDM 국제전자소자학회 보고서
2020-01-04
org.kosen.entty.User@41434516
정종완(jwanjung)
2019년 12월 7-11일 미국 샌프란시스코에서 개최된 65회 2019 IEDM 학회를 정리하였다.
IEDM 학회는 미국 샌프란시스코에서 정기적으로 개최되고 있는 가장 권위 있는 반도체소자 학회이다. 경향은 반도체의 미세화가 극한적으로 진행되고 있는 상황이어서 예전보다는 반도체 회사에서 발표하는 논문수가 줄어들고, 중국, 대만의 대학교, 유럽의 반도체 연구인 IMEC에서 발표하는 논문이 크게 늘고 있음을 알 수 있었다. 2019년 IEDM 학회에서의 가장 하이라이트 발표는 마지막 날 마지막 시간에 TSMC에서 발표한 양산 5nm CMOS 공정 기술이라고 필자는 생각한다 (36.7 5nm CMOS Production Technology Platform featuring full-fledged EUV, and High Mobility Channel FinFETs with densest 0.021 um2 SRAM cells for Mobile SoC and High Performance Computing Applications). TSMC 발표 결과에 따르면 반도체 역사상 처음으로 양산 반도체 기술에 Si이 아닌 고이동도 물질을 최초로 적용했다고 발표하였음. (필자는 PMOS에 SiGe을 적용했다고 판단함). 그리고 EUV 를 적용하여 7nm 보다 마스크 수가 줄어들었다고 발표하였다. TSMC는 5nm 공정이 1000 Hrs 테스트 qual 통과하고, 2019년 3월 Risk production 시작하였고, 2020년 1H에 HVM 목표로 ramp-up 중이라고 함
이제 Si이 아닌 신물질 (SiGe)이 적용되고, EUV리소그래피 기술이 본격적으로 적용될 시기가 도래하고 있다고 판단된다.
IEDM 학회는 미국 샌프란시스코에서 정기적으로 개최되고 있는 가장 권위 있는 반도체소자 학회이다. 경향은 반도체의 미세화가 극한적으로 진행되고 있는 상황이어서 예전보다는 반도체 회사에서 발표하는 논문수가 줄어들고, 중국, 대만의 대학교, 유럽의 반도체 연구인 IMEC에서 발표하는 논문이 크게 늘고 있음을 알 수 있었다. 2019년 IEDM 학회에서의 가장 하이라이트 발표는 마지막 날 마지막 시간에 TSMC에서 발표한 양산 5nm CMOS 공정 기술이라고 필자는 생각한다 (36.7 5nm CMOS Production Technology Platform featuring full-fledged EUV, and High Mobility Channel FinFETs with densest 0.021 um2 SRAM cells for Mobile SoC and High Performance Computing Applications). TSMC 발표 결과에 따르면 반도체 역사상 처음으로 양산 반도체 기술에 Si이 아닌 고이동도 물질을 최초로 적용했다고 발표하였음. (필자는 PMOS에 SiGe을 적용했다고 판단함). 그리고 EUV 를 적용하여 7nm 보다 마스크 수가 줄어들었다고 발표하였다. TSMC는 5nm 공정이 1000 Hrs 테스트 qual 통과하고, 2019년 3월 Risk production 시작하였고, 2020년 1H에 HVM 목표로 ramp-up 중이라고 함
이제 Si이 아닌 신물질 (SiGe)이 적용되고, EUV리소그래피 기술이 본격적으로 적용될 시기가 도래하고 있다고 판단된다.