동향

SiC, 실리콘카바이드, 탄화규소 제조 기술 동향

SIC 소재기술은 전기적 물리적 특성이 우수한 wide 밴드갭 반도체 소재로써 차세대 반도체 핵심소재로써 매우 유망한 후보물질로 여겨지고 있다. 현재 본 기술은 도입단계에 해당하며 탄화규소 소재기반의 반도체는 앞으로 기술경쟁력 강화를 위해 필수적으로 확보해야할 분야이다. 따라서, 본 연구동향리포트를 통해 현재까지 개발되어온 탄화규소의 개발현황을 살펴보고 앞으로 해결나아갈 방향성을 논의하고자 한다.