The 69th, 2023 Annual IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 학회 보고
2024-01-17
org.kosen.entty.User@3e67e34c
정종완(jwanjung)
학회소개- 60년이 넘는 역사를 가진 IEEE IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)은 반도체 및 전자장치 기술, 설계, 제조, 물리 및 모델링 분야의 기술혁신을 발표하는 세계 최고의 포럼이다. IEDM은 나노미터 규모 CMOS 트랜지스터 기술, 고급 메모리, 디스플레이, 센서, MEMS 장치, 새로운 양자 및 나노 규모 장치 및 현상학, 광전자, 전력 및 에너지 수확 장치, 고속 장치 및 주요 장치, 공정 기술 및 장치 모델링 및 시뮬레이션 등을 다루며, 회의 범위는 실리콘, 화합물 및 유기반도체뿐만 아니라 신흥 재료 시스템의 장치를 포함한다. IEDM은 반도체소자 학회로서는 가장 저명한 학회이며, 집적회로 국제 학회인 VLSI Tech., 반도체 설계 학회인 ISSCC와 함께 반도체와 관련한 가장 중요한 학회라고 할 수 있다.
학회 요약-
본인은 2019년 IEDM 학회 보고서를 작성한 바 있다. 2019년 IEDM의 하이라이트는 TSMC에서 발표한 5nm FINFET 양산 기술이었다. 2023년에 개최된 IEDM에서는 4년 전과 비교해 트랜지스터 스케일링에서는 FINFET에서 GAAFET 소자로 바뀌고 있고, 모든 반도체 회사에서 소자 구조가 GAAFET ？ 3차원 CFET ？ 3D 적층 2D 소자로 변화할 것으로 예측하고 있다. 인텔에서는 튜토리얼에서 트랜지스터 소자 기술, 배선 기술에서는 BSPDN 기술, 그리고 하이브리드 패키지 기술을 핵심 기술로 소개하였고, 2D 재료 소자의 경우 12인치 에피 성장에 대한 기술을 발표하였다. 삼성은 GAAFET 소자 성능과 여러 이슈를 튜토리얼과 숏 코스에서 발표하였고, 표준 셀, 메모리 컴파일러, ESD/GPIO, PoP, eFuse, OTP 그리고 다양한 아날로그 IP(PLL, OSC, Temp sensor, ADC, Regulator)도 모두 준비되어 2024년에 3nm 공정을 양산한다고 소개하였다. 삼성 역시 핵심 기술로 GAAFET, 그리고 이후의 3D FET, 그리고 칩렛 어드밴스드 패키지 기술이 무어의 법칙을 지속시키는 기술이 됨을 강조하였다.
학회 요약-
본인은 2019년 IEDM 학회 보고서를 작성한 바 있다. 2019년 IEDM의 하이라이트는 TSMC에서 발표한 5nm FINFET 양산 기술이었다. 2023년에 개최된 IEDM에서는 4년 전과 비교해 트랜지스터 스케일링에서는 FINFET에서 GAAFET 소자로 바뀌고 있고, 모든 반도체 회사에서 소자 구조가 GAAFET ？ 3차원 CFET ？ 3D 적층 2D 소자로 변화할 것으로 예측하고 있다. 인텔에서는 튜토리얼에서 트랜지스터 소자 기술, 배선 기술에서는 BSPDN 기술, 그리고 하이브리드 패키지 기술을 핵심 기술로 소개하였고, 2D 재료 소자의 경우 12인치 에피 성장에 대한 기술을 발표하였다. 삼성은 GAAFET 소자 성능과 여러 이슈를 튜토리얼과 숏 코스에서 발표하였고, 표준 셀, 메모리 컴파일러, ESD/GPIO, PoP, eFuse, OTP 그리고 다양한 아날로그 IP(PLL, OSC, Temp sensor, ADC, Regulator)도 모두 준비되어 2024년에 3nm 공정을 양산한다고 소개하였다. 삼성 역시 핵심 기술로 GAAFET, 그리고 이후의 3D FET, 그리고 칩렛 어드밴스드 패키지 기술이 무어의 법칙을 지속시키는 기술이 됨을 강조하였다.