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동향

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High-k gate oxide for silicon heterostructure MOSFET devices

2006-11-21 org.kosen.entty.User@7cf439c3 정우석(wscheong)

분야

전기/전자

발행기관

S. K. Ray, R. Mahapatra and S. Maikap

발행일

2006년 9월

URL

http://springerlink.metapress.com/content/b70207884k41p09n/fulltext.pdf

첨부파일

최근에 그룹-IV의 이종화합물(SiGe, SiGeC, SiC, GeC) 구조에서의 흥미롭고 우수한 결과는 SiGe 기반 소자의 VLSI/ULSI 기술의 적용가능성을 매우 높이고 있다. 그룹-IV 화합물질 위에 매우 얇은 절연막은 도전적인 연구테마이다. 이 리뷰논문은 금속-산화물-반도체(MOS) 소자에서 그룹-IV위의 게이트 및 고유전율 재료에 대한 최근의 결과들을 소개하고 있다. 실리콘 기반의 고유전율 소자에서와 마찬가지로, 그룹-IV의 초고속 소자에서도 재료 특성이 전체 소자의 특성에 미치는 영향을 고찰하는 것은 소자 연구에 있어 매우 중요할 것이다.
정우석

정우석(wscheong)

한국전자통신연구원

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