KOSEN 한인과학기술자네트워크

닫기

더 많은 혜택을 위해
로그인 하세요.

동향

동향

High-k gate oxide for silicon heterostructure MOSFET devices

2006-11-21 org.kosen.entty.User@379a20d 정우석(wscheong)

분야

전기/전자

발행기관

S. K. Ray, R. Mahapatra and S. Maikap

발행일

2006년 9월

URL

http://springerlink.metapress.com/content/b70207884k41p09n/fulltext.pdf

첨부파일

최근에 그룹-IV의 이종화합물(SiGe, SiGeC, SiC, GeC) 구조에서의 흥미롭고 우수한 결과는 SiGe 기반 소자의 VLSI/ULSI 기술의 적용가능성을 매우 높이고 있다. 그룹-IV 화합물질 위에 매우 얇은 절연막은 도전적인 연구테마이다. 이 리뷰논문은 금속-산화물-반도체(MOS) 소자에서 그룹-IV위의 게이트 및 고유전율 재료에 대한 최근의 결과들을 소개하고 있다. 실리콘 기반의 고유전율 소자에서와 마찬가지로, 그룹-IV의 초고속 소자에서도 재료 특성이 전체 소자의 특성에 미치는 영향을 고찰하는 것은 소자 연구에 있어 매우 중요할 것이다.
정우석

정우석(wscheong)

한국전자통신연구원

추천 리포트

리포트 평점  
해당 콘텐츠에 대한 회원님의 소중한 평가를 부탁드립니다.
0.0 (0개의 평가)
평가하기
등록된 댓글이 없습니다.
목록
목록