동향

Review of recent developments in amorphous oxide semiconductor thin-film transistor devices

분야

반도체소자/시스템

발행기관

Joon Seok Park et al.

발행일

2012년 1월

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본 자료는 비정질 산화물 반도체를 사용한 TFT 기술 분야의 최근의 진보와 주요한 기술 트랜드에 대해 설명하고 있다. 우선 어떤 소재와 구조의 조합으로 산화물 반도체 TFT 특성이 향상되어 왔는지를 리뷰하고 산화물 반도체 TFT가 주로 고속 구동을 위한 AMLCD 백플레인이나 대면적향 AMOLED 백플레인으로 큰 주목을 받고 있기 때문에 디스플레이 백플레인 TFT 관점에서 특성/신뢰성 평가 및 향상 방안에 대해 논의한다. 그리고 마지막 부분에는 진공 공정을 쓰지 않고 용액공정을 포함한 저가형 신공정으로 산화물 TFT를 제작하는 기술의 최근 흐름에 대해서도 논하고 있다. 산화물 반도체 TFT 분야의 전체적인 전망과 개발 방향에 대해서도 잘 정리되어 있어 관련자들에게 유익한 자료라 판단된다.

 

- 목  차 -

1. Introduction
2. Optimization of AOS TFT device performance
2.1. Device structure
2.2. Active layer
2.3. Source/drain electrode and gate-dielectric materials
3. Reliability of AOS TFT devices
3.1. The origin of device instability
3.2. Optimization of device structure and process
4. Present and future issues in oxide semiconductor applications
4.1. Solution-processed metal oxide thin film transistors
4.2. Novel electronic applications
5. Summary

 


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