분야
화학
발행기관
노현숙
첨부파일
* 질화알루미늄(AlN : Aluminum Nitride)은 고열 전도율, 우수한 전기절연성, 낮은 열팽창 계수, 고강도 등의 특성으로 인해 반도체장치용 질화알루미늄 부품, 금속박막접착 질화알루미늄기판, LED용 방열판, 고출력 Si장치용 방열판, 화합물반도체용 레이저소자용 기판, 하이브리드자동차 전원제어용 기판, 각종 수지 바인더의 방열 필러 등에 폭넓게 활용될 수 있다.
* 세계 AlN 분말 시장규모는 2013년 510톤에서 연평균 5% 성장률로 2017년에는 620톤에 이를 것으로 예상되고, 금액으로는 2013년 3,960백만엔에서 연평균 4.6% 성장률로 2017년에는 4,740백만엔에 이를 것으로 전망된다.
* 현재 AlN의 열전도율은 275W/m·K가 최고 수준으로 추정되고 있고 보다 높은 300W/m·K급을 목표로 연구개발이 추진되고 있다. 이를 위해서 소재개발, 복합화, 입자크기, 나노화, 소결기술 등에 관한 연구가 진행되고 있다. 또한, 열전도율 향상을 위해 화학기상합성법을 중심으로 고순도 분말, 나노분말 합성에 대한 연구가 진행 중이다. 방열필러 용도로는 도쿠야마에서 입경 5~20μm 제품의 개발을 진행하고 있다.
* AlN 분말의 용도를 더 확장하기 위해서는 비산화물에 공통되는 저가격화와 소결온도가 높아 불순물로 인한 물성저하 문제를 해결하기 위해 고순도화 및 나노원료화가 필요하고, 방열 필러로서 각종 바인더 수지에 충전을 위해 입자의 미세화 및 고밀도 충전기술과 내수성 개선이 요구된다.
**자료출처 - KISTI MIRIAN KMR REPORTS 7월호
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