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동향

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스핀트로닉스(Spintronics)

2010-07-14 org.kosen.entty.User@5d0efa43 정태희(thj77)
  • 3
  • Spintronics
김상훈

정태희(thj77)

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안길홍(ah5506) 2009-01-20

Al2O3도 동일하게 분자 구조상 Al2O3의 O가 먼저 반응하게 되며, 섬유를 아무리 고진공으로 하여 O를 제거한다고 하더라도 흡착되어 있는 O의 제거는 거의 불가능하다고 보시는 것이 좋습니다.

안길홍(ah5506) 2009-01-20

Al2O3의 분자 구조를 보면 Al이 중심이 되어 O가 주위를 감싸고 있기 때문에 반응성은 O가
우선적으로 일어나게 됩니다.

신동익(tongik) 2009-01-20

제가보기에도 mismatch보다는 산소불순물의 영향이 크다고 생각됩니다.
또한 c-Al2O3의 경우는 산소 top 기판이기 때문에 더욱더 MgO의 증착확율이 높습니다.
아무리 고진공을 뽑으셔도 재료내에 함유된 산소는 제거가 힘들꺼라 생각합니다.
혹시 MgB2증착시킬때 초기증착후 ion implant로 산화막층의 제거후 재증착방법은 어떠신지요?

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