동향

신뢰성이 향상된 고출력 Green LED 에피성장기술 [기술이전설명회 발표자료]

분야

정보/통신

발행기관

한국전자통신연구원

발행일

2016-07-28

URL


본 과제에서 개발하고자 하는 LED 기술은 525nm 녹색 파장대역에서 220mW급의 광출력을 가지는 고출력 LED를 구현하는 기술로, PSS GaN Recovery Layer 에피성장기술, Strain Relaxation Layer 구조 에피성장기술, Graded MQB 구조 및 Trapezoidal MQW 구조 에피성장기술, P-AlGaN EBL 및 p-GaN Layer 에피성장기술 등 에피성장기술의 최적화 및 확보가 핵심이며, 이러한 기술개발을 통해 신뢰성이 향상된 고출력 Green LED를 국산화하고 상용화를 통하여 제품개발 및 시장선점의 기회를 확보하고자 함.

리포트 평점  
해당 콘텐츠에 대한 회원님의 소중한 평가를 부탁드립니다.
0.0 (0개의 평가)
평가하기
등록된 댓글이 없습니다.