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동향

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GaN 전력반도체 글로벌 연구개발 현황 및 미래 발전방향

2016-12-09 org.kosen.entty.User@3f3d8506 연지현(yeonji)

분야

전기/전자

발행기관

문재경, 배성범, 이혐석, 정동윤

URL

http://

첨부파일

GaN 전력반도체는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 높은 이동도 및 낮은 온-저항 특성으로 인하여 차세대 고속/저손실 고효율 전력반도체 소자로서 각광을 받고 있다. 그럼에도 불구하고 글로벌 GaN 전력반도체 기술개발과 상용화는 초기단계로 선진업체 캐치업과 추월이 가능한 분야이다.

출처-한국전자통신연구원

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