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동향

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Direct CVD Graphene Growth on Semiconductors and Dielectrics for Transfer-Free Device Fabrication

2017-08-14 org.kosen.entty.User@67f6b6d9

분야

반도체소자/시스템,기타 재료

발행기관

Huaping Wang, Gui Yu

발행일

2016년 7월 6일

URL

http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201505123/epdf

그래핀은 우수한 물리적/기계적/광학적/열적 특성으로 인해, 2차원 물질 중에서 가장 폭넓게 연구되었다. 고품질의 그래핀을 대면적으로 얻기 위해, 현재까지 주로 금속을 촉매로 사용한 화학기상증착법(chemical vapor deposition, CVD)을 이용하였다. 따라서, 그래핀을 전자소자에 적용하기 위해서는 금속기판으로부터 타겟기판으로 그래핀을 전사해야 한다. 하지만, 전사 공정에서 그래핀이 오염되거나, 주름지거나, 파손되는 문제가 발생하여 이상적인 그래핀 특성을 얻기 힘들고, 또한 현대의 산업 생산공정과 양립할 수 없는 문제가 있다. 그러므로, 타겟기판 ？반도체 또는 유전체- 위에 그래핀을 직접 성장하는 기술이 필요하다. 최근, 촉매금속없이 그래핀을 성장하는 연구가 활발히 진행되었다. 본 논문에서는 그래핀을 반도체나 유전체 상에 CVD 기법을 이용하여 직접성장하는 전략에 대해 소개한다. 이러한 방법을 이용하면, 사용자가 원하는 기판 위에 그래핀 구조물을 제작할 수 있어, 그래핀 관련 재료 공정을 위한 다양한 길을 제공해 줄 것이라 기대한다.

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