- 초록
- Gallium nitride (GaN) can be used in high-voltage, high-power-density/-power, and high-speed devices owing to its characteristics of wide bandgap, high carrier concentration, and high electron mobility/saturation velocity. In this study, we investigate the technology trends for X-/Ku-band GaN RF power devices and MMIC power amplifiers, focusing on gate-length scaling, channel structure, and power density for GaN RF power devices and output power level and output power density for GaN MMIC power amplifiers. Additionally, we review the technology trends in gallium arsenide (GaAs) RF power devices and MMIC power amplifiers and analyze the technology trends in RF power devices and MMIC power amplifiers based on both GaAs and GaN. Furthermore, we discuss the current direction of national research by examining the national and international technology trends with respect to X-/Ku-band power devices and MMIC power amplifiers.
- 저자
- 이상흥RF/전력부품연구실shl@etri.re.kr
임종원RF/전력부품연구실jwlim@etri.re.kr
강동민RF/전력부품연구실kdm1597@etri.re.kr
백용순광무선원천연구본부youngb@etri.re.kr
추천 리포트
-
[코센리포트] 인공지능이 노동시장에 미치는 영향
-
[동향보고서] 2023년도 과기정통부 연구개발사업 종합시행계획
-
[동향보고서] [3월 4주] 2023년 대화형 AI 개발 트렌드 전망
-
[코센리포트] 웨어러블 기기를 활용한 헬스케어 기술 동향
-
[코센리포트] 수소선박용 연료전지 핵심기술 동향
-
[코센리포트] 수소전기자동차 인프라/서비스 기술 현황
-
[동향보고서] 인공지능 기반 영상 콘텐츠 생성 기술 동향
-
[동향보고서] 포토닉스 기반 테라헤르츠 무선통신 기술 동향
-
[동향보고서] 기계학습기반 초신뢰·저지연 무선통신기술 연구동향
-
리포트 평점
해당 콘텐츠에 대한 회원님의 소중한 평가를 부탁드립니다. -
0.0 (0개의 평가)