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동향

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신개념 스위칭 소자를 위한 모트-절연체 금속 전이 기술

2021-06-02 org.kosen.entty.User@3fd0486f 이은진(kosen10)

분야

전기/전자

발행기관

한국전자통신연구원

발행일

2021.06.01

URL

http://

첨부파일

반도체 영역 밖의 IMT 영역에서 NDR IMT 스위칭을 이용하면 동일 조건에서 반도체 소자보다 큰 전류가 스위칭되므로 전력용 스위칭 소자가 가능하고, IMT가 일어나는 임계 조건을 뉴론의 역치로 이용하면 뉴로모픽 소자로 활용이 가능하며, IMT가 발생할 때 금속상과 반도체상이 공존하는 불균일상을 이용하면 양자컴퓨터의 큐빗을 만들 수도 있다. 따라서 모트 IMT 스위칭을 이용하는 미래 신개념 스위칭 소자의 가능성을 밝혀둔다. 추가로 앞서 보여준 IMT 스위칭은 Si 소자에서도 구현이 가능하다[9].

ABSTRACT
For developing a switching device of a new concept that cannot be implemented with a semiconductor device, 
we introduce the Mott insulator-metal transition (IMT) phenomenon occurring out of the semiconductor 
regime, such as the temperature-driven IMT, the electric-field or voltage-driven IMT, the negative differential 
resistance (NDR)-IMT switching generated at constant current, and the NDR-based IMT-oscillation. Moreover, 
the possibilities of new concept IMT switching devices are briefly explained. 

KEYWORDS
New concept device, Mott MIT, NDR, Neuromorphic

* 출처 : ETRI 전자통신동향분석 제36권 제3호 통권 190호 2021년 6월호
* 자세한 내용은 첨부파일을 참고하여 주시기 바랍니다.
 

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