동향

강유전성 물질 연구 동향

실리콘 기반의 트랜지스터는 스위칭 속도 측면에서 S.S.(Sub-threshold swing)=60mV/dec라는 물리적인 한계를 갖는다. 최근 강유전성(ferroelectric) 물질을 적용하여 S.S.=60mV/dec 이하의 고속 스위칭 소자들이 보고되고 있고, 따라서 이를 코센리포트 주제로 신청하고자 합니다.