2020-03-21
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장현경(davejang)
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차세대 전력반도체인 Wide Bandgap(WBG) SiC(Silicon Carbide) 전력반도체는 Si 기반 전력반도체에 비해 항복 전압이 높고 고온 구동이 가능하며, 손실이 낮기 때문에 고속 스위치 구동이 가능한 장점이 있는 반면 제조 공정시 Si 재료와 크게 다른 점은 SiC 재료는 고온(섭씨 600도) 에서 이온주입이 필요한 점인데 이에 대해 국내외 기술동향을 파악해보기로 한다.