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아래의 자료는 연구개발정보센터(KORDIC)의 웹페이지(http://www.kordic.re.kr)을 통해 원문신청이 가능한 자료들입니다. * Advanced NAND-structure cell technology for reliable 3.3 V 64 Mb electrically erasable and programmable read only memories (EEPROMs), Japanese Journal of Applied Physics. Part 1 Japan, JJAP, 1994 v 33, n 1B, Jan 1994, p 524-528 * A reliable bi-polarity write/erase technology in flash EEPROMs, International Electron Devices Meeting 1990. New York, IEEE, 1990 1990, pp.111-114 * Technology trend of flash-EEPROM-Can flash-EEPROM overcome DRAM?, 1992 Symposium on VLSI Technology New York, IEEE, 1992 1992, pp.6-9 아래의 자료는 산업기술정보원(KINITI)를 통해 검색된 자료입니다. 웹사이트(http://www.kiniti.re.kr)를 통해 원문신청이 가능한 자료입니다. *Flash Memory 기술 동향 및 향후 전망, 서강덕; 임형규;, 전자공학회지 (KOR) 19(5); 초록 : 반도체 비휘발성 기억소자인 EPROM 과 EEPROM 의 기술을 기초로 하면서 두 소자의 장점을 조합하여 개발된 flash EEPROM( 또는 flash memory) 은 전기적으로 데이타의 소거 (erase) 와 프로그램 (program) 이 가능한 고집적 불휘발성 기억소자이다 . Flash EEPROM 의 응용으로는 기존의 EPROM 과 EEPROM 의 대체로서 system BIOS, system configuration, 계측기기 calibration 등의 용도와 향후 노트북 컴퓨터 (note book PC), hand held PC, 전자 스틸 카메라 (electronic still camera) 등 휴대용 기기의 고체기억장치 (solid state disk memory) 이다 . 본고에서는 90 년대의 반도체 기억소자의 새로운 장을 열어가는 solid state disk 응용의 초고집적 flash EEPROM 의 기술동향에 관 여 소개하기로 한다 . Flash EEPROM 이 향후 기존의 hard disk 를 대체하기 위해 필요한 중요 요건으로서 DRAM 이하의 낮은 bit cost 와 10 이상의 개서회수 (endurance) 를 달성해야 한다 . 또한 개서 (erase/program) 의 자유도를 높이기 위해 소규모 단위의 sector 소거가 가능해야 하고 5V 단일 전원화 , 개서시간의 단축등의 기능 개선이 필요하다 . >Flash EEPROM 소자의 신뢰성 개선을 위해 어떠한 연구가 진행되며, >최신의 Flash EEPROM 소자의 기술 동향과 서적에 대해 알고 싶습니다. >이에 관한 자료를 얻을 수 있으면 감사하겠습니다.