2003-10-09
org.kosen.entty.User@24cce414
정석준(teggunv)
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Silicon detector에 Bumping을 하기 위한 UBM(Under Bump Metal) 중에 Ti을 etching하기 위한 solvent로 HF(0.3%)를 이용하는데 이 용액에 담그었을 경우, Al, Au, Ni, Silicon, SiO2 등이 용액과 닿을 수 있습니다. 이 때 원칙적으로는 아무런 반응이 일어나지 않아야 하는데 약간의 에칭이나 그 밖의 반응 또는 문제가 발생할 수 있는 것으로 알고 있으나 정확히 어떤 문제가 발생하는지 잘 알지 못해서 이렇게 질문을 올립니다. 이에 대해 답변을 해주실 수 있으면 감사하겠구요, 혹시 이 분야의 전문가분을 소개해 주신다면 그것도 제게는 큰 도움이 될 것으로 판단됩니다.
답변기다리면서 이만 줄이겠습니다.
- UBM process
- Etching solvent
- Bumping
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 1
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답변
정성훈님의 답변
2005-04-21- 0
>Silicon detector에 Bumping을 하기 위한 UBM(Under Bump Metal) 중에 Ti을 etching하기 위한 solvent로 HF(0.3%)를 이용하는데 이 용액에 담그었을 경우, Al, Au, Ni, Silicon, SiO2 등이 용액과 닿을 수 있습니다. 이 때 원칙적으로는 아무런 반응이 일어나지 않아야 하는데 약간의 에칭이나 그 밖의 반응 또는 문제가 발생할 수 있는 것으로 알고 있으나 정확히 어떤 문제가 발생하는지 잘 알지 못해서 이렇게 질문을 올립니다. 이에 대해 답변을 해주실 수 있으면 감사하겠구요, 혹시 이 분야의 전문가분을 소개해 주신다면 그것도 제게는 큰 도움이 될 것으로 판단됩니다. >답변기다리면서 이만 줄이겠습니다. HF는 산화막제거를 위한 에칭 용액입니다. 그러므로 Ti를 에칭하는데 있어서는 알맞을 것으로 생각됩니다. 그 이유는 Ti는 쉽게 산화가 되기 때문입니다. 증착 후 이미 TiOx를 형성하기 때문에, HF로는 쉽게 에칭이 될수 있을것이라 생각됩니다. 그리고 아래, 말씀하신 다른 금속및 산화막에 대해서는 제 생각은 다음과 같습니다. Au, Al,Ni Silicon은 HF에 에칭이 되지 않습니다. 하지만, SiO2의 경우 에칭이됩니다. 그러므로 이점을 유념하셔서 선택해야 할 것같습니다. 하지만, SiO2가 절연막으로 Si 기판위에 형성되어 있는 형태라면, 약간은 에칭이 될지 모르나 괜찮을 것으로도 생각됩니다.