2004-11-12
org.kosen.entty.User@76c7169f
금민종(mjkeum)
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PDP 제작시 유전층의 이온스퍼터링에 의한 파괴를 막기 위하여 MgO 보호층을 사용하는 걸로 알고 있습니다.
그런데 이 MgO 막의 제작이 스퍼터링법을 이용할 경우 문제점이 있다고만 들었습니다. 정확히 어떤 문제점이고 그 해결 방안들이 어떤 식으로 제안되고 있는지 알고싶습니다..전문가분들의 조언 부탁 드립니다.
- MgO
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 2
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반용병님의 답변
2004-11-15- 0
특허청에서 등록된 삼성SDI특허입니다. -
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김철홍님의 답변
2006-12-30- 0
AC/DC 스퍼터로 성막할 때 많은 문제점이 있습니다만, 이는 대면적이기 때문인 경우가 더 많습니다. SDI의 MgO막은 단결정이 아니라, 다결정인 것도 차이가 있겠지요. 그리고, 상기의 특허방법은 현재 사용되지 않습니다. >PDP 제작시 유전층의 이온스퍼터링에 의한 파괴를 막기 위하여 MgO 보호층을 사용하는 걸로 알고 있습니다. >그런데 이 MgO 막의 제작이 스퍼터링법을 이용할 경우 문제점이 있다고만 들었습니다. 정확히 어떤 문제점이고 그 해결 방안들이 어떤 식으로 제안되고 있는지 알고싶습니다..전문가분들의 조언 부탁 드립니다.