2005-06-04
org.kosen.entty.User@1c589c9c
한진우(hanjinu)
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반도체 소자 교과서에서는 이론적인 mobility에 대한 설명은 많이 있는것 같습니다.
그런데 실제로 제작된 소자에서는 소자마다 mobility가 다를 것입니다.
실제 소자를 가지고 측정에 의한 전자나 홀의 mobility는 어떤 방법으로 측정하는지 알고 싶습니다.
그리고 실제 측정관련된 자료좀 부탁드립니다.
즐거운 주말(??) 되십시오.
- mosfet
- mobility
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답변 1
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답변
김현종님의 답변
2005-06-27- 0
>반도체 소자 교과서에서는 이론적인 mobility에 대한 설명은 많이 있는것 같습니다. >그런데 실제로 제작된 소자에서는 소자마다 mobility가 다를 것입니다. > >실제 소자를 가지고 측정에 의한 전자나 홀의 mobility는 어떤 방법으로 측정하는지 알고 싶습니다. > >그리고 실제 측정관련된 자료좀 부탁드립니다. >즐거운 주말(??) 되십시오. > 제가 그쪽 전문가가 아니라서 정확한 답변이 될지 모르겠습니다. 반도체나 디스플레이 혹은 태양전지에서 입자의 mobility는 이들 소자의 성능과 직결되는 것입니다. mobility가 높을수록 소자의 작동(구동)속도가 빠르고 적은 전력으로도 구동이 가능해지기 때문입니다. 또한 태양전지 경우는 mobility 가 높을 수록 보다 효율적으로 전기를 생산해 낼 수 있습니다. mobility 측정의 대표적인 방법이..Hall Effect 측정입니다. 이것은 일반적으로 교과서나 인터넷에서 쉽게 찾을 수 있을 것입니다. 그래도 간단하게 언급하자면 자기장 내부에서 전자나 홀은 전류가 흐르는 주체가 되므로 자기장 영향으로 회전운동을 하게 되고 이를 측정해서 전자나 홀의 mobility를 구할수 있습니다. 그 외에도 DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) 와 TRMS (Time Resolved Microwave Spectroscopy) 방법이 있습니다. DLTS 방법은 내부에서 포획(trap)되는 입자가 얼마나 되는 측정하는 방법입니다. 내부에서 포획되는 전자가 많을수록 mobility 는 좋지 않겠지요. 한편 TRMC 는 레이저 광원에 의해 들뜬 상태의 전자들이 내부에서 포획되는 것을 Microwave 를 이용하여 하여 측정하는 방법입니다. 부족한 답변이지만 참고하시길 바랍니다.