2005-07-01
org.kosen.entty.User@28ac2735
전현식(jhs534)
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ZnO가 차세대 LED 및 LD재료로 주목받는 이유와 전망에 대해 알고싶어서
(국내외 연구 및 개발동향)글을 올렸습니다.알고계시는분 부탁드립니다.
꾸벅.(rin6jeon@naver.com)
- jhs534
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 3
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답변
이영환님의 답변
2005-07-01- 0
http://yeskisti.net/ 사이트에 연구 보고서 등 자료가 많이 있습니다. 하지만 저장이 안됩니다. 그래서 자료를 찾아서 일부 파일로 저장하여 업로드 시켰습니다. 자세한 내용은 직접 사이트 방문하여 보시면 좋을 것 같습니다. >ZnO가 차세대 LED 및 LD재료로 주목받는 이유와 전망에 대해 알고싶어서 >(국내외 연구 및 개발동향)글을 올렸습니다.알고계시는분 부탁드립니다. >꾸벅.(rin6jeon@naver.com) -
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DELETED님의 답변
2005-07-01- 0
>ZnO가 차세대 LED 및 LD재료로 주목받는 이유와 전망에 대해 알고싶어서 >(국내외 연구 및 개발동향)글을 올렸습니다.알고계시는분 부탁드립니다. >꾸벅.(rin6jeon@naver.com) 연세대학교 반도체소자응용연구실을 졸업한 이준엽입니다 제가 석사시절 ZnO Photo detector에 관한 연구를 하였는데, 지금도 연구실에 ZnO 박막관련해서 연구가 한참입니다 연세대학교 홈페이지에서 응용물리에서 반도체소자응용연구실 (부교수 : 임성일)에서 확인해보세요 -
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omvpe님의 답변
2005-10-13- 0
>ZnO가 차세대 LED 및 LD재료로 주목받는 이유와 전망에 대해 알고싶어서 >(국내외 연구 및 개발동향)글을 올렸습니다.알고계시는분 부탁드립니다. >꾸벅.(rin6jeon@naver.com) ZnO는 자외선 발광소자 (UV light-emitters), 태양전지, 압전소자 (piezoelectric transducers), 표면탄성파소자 (surface acoustic wave devices), high power electronics 등에 응용될 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. 특히 GaN에 비해 여러가지 장점을 가지고 있는데, 높은 exciton binding energy를 갖고, 단결정을 생산하기 용이하며, Cd과 Mg을 이용하여 치환할 경우 에너지 밴드갭을 변화시킬 수 있습니다. ZnO는 wide bandgap 소재이면서 InGaN (In ~ 22%)와 격자상수가 일치하여 lattice mismatch가 대단히 작습니다. ZnO 기판을 이용, InGaN의 기판으로 사용이 가능하며, InGaN 에피박막을 제작하여 dislocation density가 낮은 소자의 개발이 이론적으로 가능합니다. GaN나 SiC에 비해서 재료적 특성도 좋은 편입니다. 즉 LED및 LD의 소재로 대단히 매력적인 특성을 갖고 있습니다. GaN에 비해 식각 등의 process도 용이한 편입니다. 즉, LED 제작 공정이 GaN에 비해 단순하게 됩니다. 문제는 ZnO의 도핑이 어렵다는 것입니다. 특히 p-type doping에 아직까지 어려움을 갖고 있습니다. 또한 결함 (defects)에 따른 특성의 저하가 큰 점 등의 단점을 갖고 있기도 합니다. KOSEN 분석 자료 검색에서 ZnO에 대해 분석한 자료가 있으니 참고하시기 바랍니다.