지식나눔

기초적인 질문입니다. (전기전도도 관련)

공유결합을 하는 실리콘의 결정구조를 변화시키지 않으면서 전기전도도를 증가시키는 방법이 무엇이 있을까요? 이온결합을 하는 NaCl은요? (역시 결정구조를 변화시키지 않으면서) 답변 부탁드립니다:)
  • ionic bonding
  • covalent bonding
  • conductivity
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답변 1
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    한혁님의 답변

    >공유결합을 하는 실리콘의 결정구조를 변화시키지 않으면서 >전기전도도를 증가시키는 방법이 무엇이 있을까요? > >이온결합을 하는 NaCl은요? (역시 결정구조를 변화시키지 않으면서) > > >답변 부탁드립니다:) > > 질문이 공유결합을 하는 실리콘의 결정구조를 변화시키지 않으면서라는건 doping을 제외한 방법을 찾으시는것 같은데 strain 에 의한 방법이 있을수 있습니다. 현재 MOSFET디바이스분야에서 스케일링에 따른 deficiency를 mobility를 향상시킴으로써 보상시키거나 성능향상을 꽤하고 있는데요. 많은 반도체 회사에서 연구중이죠. 보통 Strain Si 라고 하는데요. Strain Si를 만드는 방법중 하나는 Si 위에 Ge을 증착하여 lattice mismatch를 통한 strain을 주는 방법이 있고요, 다른 하나는 기계적으로 Si에 스트레스를 줌으로써 Strain을 주는 방법이 있습니다. 보통 스트레인은 mobility를 향상시켜주니까 전기전도도도 향상되겠네여. 질문자의 정확한 의도를 제가 파악하지 못해서 strain에 의한 방법을 알려드렸는데요. Doping을 하더라도 실리콘의 결정구조를 변화시키지는 않습니다.
    >공유결합을 하는 실리콘의 결정구조를 변화시키지 않으면서 >전기전도도를 증가시키는 방법이 무엇이 있을까요? > >이온결합을 하는 NaCl은요? (역시 결정구조를 변화시키지 않으면서) > > >답변 부탁드립니다:) > > 질문이 공유결합을 하는 실리콘의 결정구조를 변화시키지 않으면서라는건 doping을 제외한 방법을 찾으시는것 같은데 strain 에 의한 방법이 있을수 있습니다. 현재 MOSFET디바이스분야에서 스케일링에 따른 deficiency를 mobility를 향상시킴으로써 보상시키거나 성능향상을 꽤하고 있는데요. 많은 반도체 회사에서 연구중이죠. 보통 Strain Si 라고 하는데요. Strain Si를 만드는 방법중 하나는 Si 위에 Ge을 증착하여 lattice mismatch를 통한 strain을 주는 방법이 있고요, 다른 하나는 기계적으로 Si에 스트레스를 줌으로써 Strain을 주는 방법이 있습니다. 보통 스트레인은 mobility를 향상시켜주니까 전기전도도도 향상되겠네여. 질문자의 정확한 의도를 제가 파악하지 못해서 strain에 의한 방법을 알려드렸는데요. Doping을 하더라도 실리콘의 결정구조를 변화시키지는 않습니다.
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