2006-05-17
org.kosen.entty.User@24dfe19f
정종국(zzang036)
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thin film 표면 산화 와 수소열처리에 따른 표면 상태를 분석 하고 싶은데 어떤 측정 방법이 있는지 궁금 합니다.
XPS,EDS경우 가스분석의 경우 신뢰하기 힘들다구 하네요.
- 수소
- 산소
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 2
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답변
손삼익님의 답변
2006-05-17- 0
SIMS 분석법을 추천 합니다. -
답변
정연학님의 답변
2006-05-18- 0
Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS)를 추천합니다. 반도체소자에 대해 SEM이나 AES를 사용하여 미세특성분석을 수행하는 경우 충전효과나 비파괴적인 깊이방향에 대한 정보제공이 곤란하다는 문제점을 갖고 있으며, 또한 AES, SIMS, XPS를 이용하는 경우 비교체가 요구되는 등 정량성이 문제가 대두되며. Micro-RBS의 경우 비교체가 요구되지 않는 뛰어난 정량성을 갖고 있고, 비파괴적이며 미크론 두께까지 깊이방향의 변화를 추적할 수 있다는 장점을 지니고 있습니다. >thin film 표면 산화 와 수소열처리에 따른 표면 상태를 분석 하고 싶은데 어떤 측정 방법이 있는지 궁금 합니다. > >XPS,EDS경우 가스분석의 경우 신뢰하기 힘들다구 하네요. > >