2006-08-09
org.kosen.entty.User@7298dd0c
박세정(meg93)
- 3
quartz표면을 제거하기위해 HF(불산)을 사용하고 있는데
일반적으로 Si기판에 생기는 SiO2층을 없애기 위해
어떤 표면처리를 하고 있는지 알고싶습니다. 자세히 etching하는 방법이나 시간까지...
HF농도는 얼마나....
- SiO2
- etching
지식의 출발은 질문, 모든 지식의 완성은 답변!
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변 3
-
답변
한용희님의 답변
2006-08-10- 0
>quartz표면을 제거하기위해 HF(불산)을 사용하고 있는데 >일반적으로 Si기판에 생기는 SiO2층을 없애기 위해 >어떤 표면처리를 하고 있는지 알고싶습니다. 자세히 etching하는 방법이나 시간까지... >HF농도는 얼마나.... > 일반적으로 Si 기판에 생기는 SiO2층을 없애기 위해 1:10 또는 1:50 정도의 HF 용액을 쓰기도 하지만 BOE(Buffered Oxide Etcher, 일반적으로 농도 1:7)라는 용액을 많이 사용합니다. 이용액은 상품으로 나와있으므로 구입하실 수 있습니다. 에칭속도는 대략 0.7-0.9 um/min라고 알고 있습니다. -
답변
류명관님의 답변
2006-08-13- 0
>quartz표면을 제거하기위해 HF(불산)을 사용하고 있는데 >일반적으로 Si기판에 생기는 SiO2층을 없애기 위해 >어떤 표면처리를 하고 있는지 알고싶습니다. 자세히 etching하는 방법이나 시간까지... >HF농도는 얼마나.... > 보통 건식방법과 습식방법이 있습니다. 습식방법은 HF(불산)을 사용하는데요. 보통 원액 (40% in water)을 희석시켜서 희석비를 조절해서 합니다. 1:100=HF:water인경우, 분당 60~70 A 정도의 식각속도가 나옵니다. HF비율을 높이면 급격히 빨라집니다. 참고로, 불산은 플라스틱통에 담궈서 보관합니다. SiO2(유리재질)를 식각하니깐요. 매우 위험한 물질이므로 조심해서 다루셔야하고 실험시 후드내에서 반드시 작업하세요. 건식방법은 플라즈마식각이 대표적인데요. 보통 CF4, CHF3, SF6등이 main 식각 gas로 사용되어 진공챔버내에서 플라즈마를 띄워서 식각을합니다. 식각gas에 F 원소가 있는게 특징입니다. 식각속도는 플라즈마조건 (power, gas유량, 유량비(O2, Ar등을 추가로 섞습니다.)에 따라 다양합니다. power가 가장 큰 영향을 주는데 수KW에서 대략 분당 500~수천A정도입니다. 책을 하나 추천합니다. 일종의 공정매뉴얼인데요. 이분야에서는 많이 쓰이는 책입니다. Quick reference manual for silicon integrated circuit technology (W.E. Beadle, J.C.C. Tsai, R.D. Plummer)에 상세히 나오니 참조하시기바랍니다. -
답변
김한형님의 답변
2006-08-17- 0
안녕하세요. 저같은 경우, Si wafer위에 생기는 native oxide제거할때는 주로 BOE 사용합니다. BOE는 1:7정도로 HF와 DI water가 섞여서 희석되어있는 겁니다. BOE는 따로 구매가 가능해기때문에 간단하게 테프론 용기에 부어서 Si wafer넣고, 실온이 22.5도 정도라면 30초면 다 제거됩니다. 다 제거가 되었는지 구분하는 방법은 다 제거되었다라고 생각하시면 빼셔서 DI water로 세척하는데 wafer에 물방울 떨어 뜨렸을때 물방울이 굴러가면 oxide가 다 제거된겁니다. 물하고 Si하고는 별로 않친해서 Si 표면에서는 구슬같이 있습니다. 자세하게 알고 싶으시면 연락주세용. 암튼 oxide가 다 제거가 않되엇다면 물방울이 구슬같이 흘러가는 것이 아니라 Si wafer표면에 쭉늘어 붙어 있습니다. oxide하고 물하고는 친해서 잘 붙거든요. 암튼 도움이 되었으면하네요