2006-08-30
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김강호(khkim01)
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Si(111) wafer에 대해서 습식식각으로 패턴을 형성하고자 합니다.
H2O + HNO3 + HF 용액을 이용해서 식각을 해 보았는데 식각 마스크로 사용했던 PR이 완전히 없어지고 식각된 면이 pit 같은것도 보이고...
10um정도를 식각하고 싶은데, PR mask로는 대략 2um 정도 밖에 되지않습니다.
반도체 공정관련 책을 보니 CP-4A, CP-6, CP-8 과같은 이름이 붙은 실리콘 식각 용액이 있다고 하는데 어디서 구할 수 있는지, Si(111) wafer에 대해서도 아용할 수 있는지 알고 싶습니다.
그리고 식각에 어떤 마스크를 사용하면 되는지도 알고 싶습니다.
고수님들의 도움에 미리감사드립니다.
- Si
- Wet etching
- mask
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답변 3
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답변
정옥찬님의 답변
2006-08-30- 0
>Si(111) wafer에 대해서 습식식각으로 패턴을 형성하고자 합니다. >H2O + HNO3 + HF 용액을 이용해서 식각을 해 보았는데 식각 마스크로 사용했던 PR이 완전히 없어지고 식각된 면이 pit 같은것도 보이고... >10um정도를 식각하고 싶은데, PR mask로는 대략 2um 정도 밖에 되지않습니다. > >반도체 공정관련 책을 보니 CP-4A, CP-6, CP-8 과같은 이름이 붙은 실리콘 식각 용액이 있다고 하는데 어디서 구할 수 있는지, Si(111) wafer에 대해서도 아용할 수 있는지 알고 싶습니다. >그리고 식각에 어떤 마스크를 사용하면 되는지도 알고 싶습니다. > >고수님들의 도움에 미리감사드립니다. 패턴한 다음에는 무슨 공정인지요? 일반적으로 질화막이나 열산화막등이 실리콘 습식 식각 마스크로 많이 쓰입니다. CP-4A, CP-6, CP-8 이런것들은 처음 들어봅니다. 구글에서 찾아보세요!! -
답변
윤승욱님의 답변
2006-09-06- 0
KOH 에칭에서는 위 답변글에서 언급하신 것 처럼, SiN, SiO2사용됩니다. PR을 사용하시면 다 들떠서 제대로 역할을 할수가 없읍니다. 에칭에는 KOH만 사용하여도 올바른 결과를 얻으실수 있읍니다. 그럼, 참조하시길.... >Si(111) wafer에 대해서 습식식각으로 패턴을 형성하고자 합니다. >H2O + HNO3 + HF 용액을 이용해서 식각을 해 보았는데 식각 마스크로 사용했던 PR이 완전히 없어지고 식각된 면이 pit 같은것도 보이고... >10um정도를 식각하고 싶은데, PR mask로는 대략 2um 정도 밖에 되지않습니다. > >반도체 공정관련 책을 보니 CP-4A, CP-6, CP-8 과같은 이름이 붙은 실리콘 식각 용액이 있다고 하는데 어디서 구할 수 있는지, Si(111) wafer에 대해서도 아용할 수 있는지 알고 싶습니다. >그리고 식각에 어떤 마스크를 사용하면 되는지도 알고 싶습니다. > >고수님들의 도움에 미리감사드립니다. -
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나기열님의 답변
2006-09-22- 0
PR 마스크로는 말씀하신 'H2O + HNO3 + HF' 용액에서 버티지 못합니다. 프로파일상 문제가 없다면 Deep silicon etch로 하시는게 .... (ISRC 나 NanoFab.에 문의 하시는게 좋을듯합니다.) >Si(111) wafer에 대해서 습식식각으로 패턴을 형성하고자 합니다. >H2O + HNO3 + HF 용액을 이용해서 식각을 해 보았는데 식각 마스크로 사용했던 PR이 완전히 없어지고 식각된 면이 pit 같은것도 보이고... >10um정도를 식각하고 싶은데, PR mask로는 대략 2um 정도 밖에 되지않습니다. > >반도체 공정관련 책을 보니 CP-4A, CP-6, CP-8 과같은 이름이 붙은 실리콘 식각 용액이 있다고 하는데 어디서 구할 수 있는지, Si(111) wafer에 대해서도 아용할 수 있는지 알고 싶습니다. >그리고 식각에 어떤 마스크를 사용하면 되는지도 알고 싶습니다. > >고수님들의 도움에 미리감사드립니다.