2006-10-08
org.kosen.entty.User@17bdc369
장치현(bedegg)
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band gap 사이에 불순물을 첨가하는 방법 아니면 band 자체에 가전자대를 형성하는 방법에 대해 자세히좀 알고 싶습니다. 아님 따른 방법이 있다면 알려주세요
- led
- bang gap
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답변 2
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답변
고상운님의 답변
2006-10-10- 0
>band gap 사이에 불순물을 첨가하는 방법 아니면 band 자체에 가전자대를 형성하는 방법에 대해 자세히좀 알고 싶습니다. 아님 따른 방법이 있다면 알려주세요 관련 자료 첨부합니다. 도움이 되었으면 합니다. 그런데, 영문이네요... -
답변
김철홍님의 답변
2006-10-14- 0
>band gap 사이에 불순물을 첨가하는 방법 아니면 band 자체에 가전자대를 형성하는 방법에 대해 자세히좀 알고 싶습니다. 아님 따른 방법이 있다면 알려주세요 결국 재료에 도너레벨이든 억셉터레벨이든 인위적으로 불순물 준위를 만들어 주는 것이 가장 효과적입니다. 베이스가 2가면, 3가물질을 집어넣어주면 도너레벨이, 1가가 첨가되면 억셉터레벨이 형성되어 가전자대가 형성되겠지요. 주입방법은 재료혼합후 열처리가 가장 효과적이고, 기타 여러 물리화학적 방법이 있습니다. 하지만, 이러한 방법에 있어서는 반드시 Hume-Rothery율에 입각하여야 합니다. 즉, 가수, 이온반경크기, 고용율등을 감안해야 한다는 것이지요. 가전자대가 형성되었는지, 아니면 불순물 농도가 증가했는지는 캐리어 농도 (전자밀도)를 계산하면 됩니다.