2006-10-16
org.kosen.entty.User@4de2dc53
임석묵(johnlim7)
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아몰퍼스 실리콘이 휴대전화용 플라스틱 소재로 적합하지 않다고 하는데, 그 이유가
어떤 이유때문입니까? 대안이 되는 사항은 없나요?
- amorphous si
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답변 3
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답변
이상호님의 답변
2006-10-17- 0
>아몰퍼스 실리콘이 휴대전화용 플라스틱 소재로 적합하지 않다고 하는데, 그 이유가 >어떤 이유때문입니까? 대안이 되는 사항은 없나요? “플라스틱 소재“ 라고 하신것이 플라스틱 기판을 말씀하신 것 같습니다. 플라스틱 기판은 보통 200도 정도가 공정온도의 한계입니다. 반면 amorphous Si device가 제기능을 하려면 300도 이상되는 온도를 견뎌야 합니다. 때문에 현재 플라스틱 기판이 많이 사용되지 않습니다. -
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고상운님의 답변
2006-10-20- 0
>아몰퍼스 실리콘이 휴대전화용 플라스틱 소재로 적합하지 않다고 하는데, 그 이유가 >어떤 이유때문입니까? 대안이 되는 사항은 없나요? 아몰퍼스 실리콘은 가격은 저렵하나 결정성이 아니기 때문에 재질 구조의 균일성이 부족하고, 전자 이동도가 낮아 화질과 동영상의 응답속도 문제가 발생하여 디지탈 모바일 제품에 적용이 어렵습니다. 이러한 문제의 해결방안으로 가능성이 제시된 것이 저온 폴리실리콘 TFT를 가공하는 것이나 토스트 문제를 해결하지 못한 상태입니다. 저온이라 해도 아직은 500도씨 정도의 온도를 필요로 하여 유리기판에는 적용이 가능하나 플라스틱 기판에 직접가공하는 것은 불가능한 상태입니다. -
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이용욱님의 답변
2006-10-24- 0
플라스틱을 사용하는 경우 종류에 따라 다르겠으나 공정 온도가 150C이상 되는 사용이 곤란한 경우가 많습니다. 즉, 1. 고분자 소재의 유리전이 온도가 충분히 높지 못한 경우도 많고, 2. 또 유리 전이 온도가 공정온도이상인 경우라 하더라도 온도를 올렸다 내리게 되면 열팽창에 의해서 기판이 팽창 수축을 하게 되므로 막질의 스트레스가 커져서 막 lifting이 쉽게 일어나게 되며, 3. 반복적인 열 팽창과 수축은 layer 간 (e.g. gate vs. SD) misalign을 유발하여 쉽지 않습니다. 핵심적인 공정은 Si막을 올리는 CVD 공정인데, 학교에서 하는 실험실 수준에서는 100C 근방까지 내려간 것으로 보고되고 있으며, 국내 대기업들도 연구 수준으로는 150C 공정까지 확보되어 있습니다. 그러나 이 경우 TFT 특성은 어느정도 확보가 되어 있지만 신뢰성 측면에서는 아직 100% 만족스럽지 못한 측면이 있기 때문에 실제 양산까지는 못 쓰이고 있습니다. 그러나 a-Si on plastic이 실제 양산되는데 어려운 더 중요한 이유는 기존의 glass를 다루는 FAB에서 플라스틱을 다루기가 (이송 등) 쉽지 않다는 것 때문입니다. 도움이 되셨는지 모르겠네요. >아몰퍼스 실리콘이 휴대전화용 플라스틱 소재로 적합하지 않다고 하는데, 그 이유가 >어떤 이유때문입니까? 대안이 되는 사항은 없나요?