2006-10-23
org.kosen.entty.User@f8417a7
윤정흠(jy955657)
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실리콘 웨이퍼를 H2O로 세정하고 그 수분을 drying oven에서 제거할려고 합니다.
수분을 완전히 제거하기 위한 oven의 온도와 시간을 알고자 합니다.
감사합니다.
- Silicon
- drying
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답변 2
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답변
홍종인님의 답변
2006-11-10- 0
장 단위로 수분 제거를 하실 경우는 hot plate가 용이하실 것이고, batch 단위로 제거하실 경우는 오븐이 용이할 것 같습니다. 흡착되어 있는 수분은 생각보다 잘 제거되지 않으므로 시간을 많이 주시는 것이 좋습니다. 특히 후 공정이 photolithography를 위해 photoresist코팅인 경우는 더욱 신경을 쓰셔야 합니다. a. Hot plate 조건: 150도 15~30분, 200도 5~10분 b. Oven 조건: 150도 30분 이상 >실리콘 웨이퍼를 H2O로 세정하고 그 수분을 drying oven에서 제거할려고 합니다. >수분을 완전히 제거하기 위한 oven의 온도와 시간을 알고자 합니다. >감사합니다. -
답변
권해용님의 답변
2008-07-22- 0
N2 Gun으로 표면에 잔류 수분을 충분히 날려 준다음 저희연구실에선 150도로 baking 해서 10~15분 정도하는데 충분히 다날아가지 않나 싶습니다. 스퍼터로 진공 증착하는데도 크게 문제는 없었고요. 이상입니다. >실리콘 웨이퍼를 H2O로 세정하고 그 수분을 drying oven에서 제거할려고 합니다. >수분을 완전히 제거하기 위한 oven의 온도와 시간을 알고자 합니다. >감사합니다.