2006-12-05
org.kosen.entty.User@61744555
이재활(jeahwal)
- 3
reactive sputter에 관해 공부하는 중 입니다.
사용기판은 PC(polycarbonate)이고, 증착재료는 산화물(TiO2, SiO2 등) 입니다.
reactive sputter로 Metal target을 사용하여 산화물 다층박막을 만들려고 합니다.
그런데 여러 논문을 접했는데요, 반응gas를 넣어주는 위치가 조금씩 다르던데요.
metal target 쪽에 O2 gas 공급하는 경우와 기판 쪽에 O2 gas 공급하는 경우 두가지로 나뉘던데요
어떤 것이 더 나은것인지 알 수가 없어서 이렇게 글을 남깁니다.
이런 설비나 공정을 알고 계신 분들이 있을까요?
고수님들의 많은 의견 부탁드립니다.
- reactive sputter
- thin film
- optical
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 3
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답변
고상운님의 답변
2006-12-06- 0
>reactive sputter에 관해 공부하는 중 입니다. > >사용기판은 PC(polycarbonate)이고, 증착재료는 산화물(TiO2, SiO2 등) 입니다. >reactive sputter로 Metal target을 사용하여 산화물 다층박막을 만들려고 합니다. > >그런데 여러 논문을 접했는데요, 반응gas를 넣어주는 위치가 조금씩 다르던데요. >metal target 쪽에 O2 gas 공급하는 경우와 기판 쪽에 O2 gas 공급하는 경우 두가지로 나뉘던데요 >어떤 것이 더 나은것인지 알 수가 없어서 이렇게 글을 남깁니다. > >이런 설비나 공정을 알고 계신 분들이 있을까요? > >고수님들의 많은 의견 부탁드립니다. 이 부분에 전문가를 소개해 드릴게요.. 설비도 직접 설계,제작 하신 분입니다. 전화하셔서 질문하시면 친절한 답변 기개하셔도 좋습니다. 업체명: 팬시스템(대표 박 종호) 핸드폰: 019-9141-4429 > -
답변
Taehee Jeong님의 답변
2006-12-06- 0
>reactive sputter에 관해 공부하는 중 입니다. > >사용기판은 PC(polycarbonate)이고, 증착재료는 산화물(TiO2, SiO2 등) 입니다. >reactive sputter로 Metal target을 사용하여 산화물 다층박막을 만들려고 합니다. > >그런데 여러 논문을 접했는데요, 반응gas를 넣어주는 위치가 조금씩 다르던데요. >metal target 쪽에 O2 gas 공급하는 경우와 기판 쪽에 O2 gas 공급하는 경우 두가지로 나뉘던데요 >어떤 것이 더 나은것인지 알 수가 없어서 이렇게 글을 남깁니다. > >이런 설비나 공정을 알고 계신 분들이 있을까요? > >고수님들의 많은 의견 부탁드립니다. > reactive sputtering이란 아시는 대로, 금속 타겟을 이용해서, 스퍼터링중에 산소를 공급해 주어서 금속과 산소가 증착중에 결합해서 산화물이 기판에 증착되는 것을 말합니다. 따라서 공급되는 산소가스의 위치와 증착시 발생하는 금속 플라즈마의 형태에 따라서 증착된 막의 성질이 달라질 수 있습니다. 그렇지만, 이것은 스퍼터에 따라서 (즉, 타겟이나 기판의 위치, 모양 등)달라지는 것이라서 어떤 것이 더 좋다고 말할 수는 없습니다. 자신이 가지고 있는 스퍼터에서는 어떤 것이 더 좋은 지 실험해 보는 방법이외에는...(물론 시뮬레이션을 할 수도 있겠지요...) 제가 전에 PC기판위에 SiO2 을 증착한 적이 있습니다. 저는 Si타겟이 아닌 SiO2 타겟을 이용하고, 산소 공급은 타겟쪽에서 해주었습니다. 박막 특성은 좋았던 것으로 기억합니다. -
답변
이정철님의 답변
2006-12-07- 0
저도 반응성 스퍼터링을 공부하고 있습니다. 저의 경우에는 금속 타겟을 사용, 반응성 가스인 산소는 타겟을 산화시켜 산화된 층을 Sputtering 시키는 방식을 사용하고 있는데요 보통 산소를 넣으면 산소와 스퍼터 입자들이 반응해서 산화물을 형성하여, 기판위에 산화물을 스퍼터링 시킨다고 생각하시는데, 산소는 금속 타겟과 반응합니다. 두가지 방법의 차이점은 산소 분압비가 다를것이라 생각합니다. 물론 가스 라인이 기판에 달린다해도 산소가스 분압비에 따라서 타겟이 산화되어 산화막이 증착은 될거라 생각합니다. 하지만 증착률에서 차이를 보일꺼 같고, 박막 조성 또한 다를꺼라 생각합니다. 또한, 기판주위에 산소 분압이 높다면 산소 음이온에 의한 리스퍼터링도 박막 물성에 영향을 끼칠수있다고 생각되네요. 그래서 제결론은 산소 공급 라인은 타겟쪽에 있는것이 좋다고 생각합니다. 허덥한 답변이였습니다. 도움이 됐으면 하네요~^^