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반도체 박막은 일반적으로 상상할 수 있는 대부분의 능동소자, 즉 트랜지스터, 수광/발광 소자, 태양전지, 센서 등과 이들을 집적한 MMIC와 OEIC 등 매우 다양한 영역에 응용됩니다. 단일 박막을 이용한 소자도 가능하겠으나 대부분은 다양한 물질(Si/SiGe, GaAs/AlGaAs, InP/InGaAs/InAlAs)의 이종접합을 이용하여 소자를 설계하고 제작하게 됩니다. 프리젠테이션의 제목(반도체 박막의 응용)만으로는 프리젠테이션에서 다루게 될 내용의 경계가 명확하지 않는데다가 발표시간에 따라 다루어야할 내용의 양과 심도가 결정될 것인데, 제가 그것을 가늠하기 어려우므로 최적의 참고도서를 추천해드릴 수 있을지 모르겠습니다. 우선 제가 관심을 가졌었던 몇몇을 나열하겠습니다. 1. HEMTs and HBTs: Devices, Fabrications, and Circuits, Fazal Ali and Aditya Gupta, Artech House, 1991 2. Physics of Optoelectronic Devices, S. L. Chuang, John Wiley & Sons, Inc., 1995 3. Semiconductor Lasers 2nd edition, G. P. Agrawal, N. K. Dutta, Van Nostrand Reinhold,1993 4. InP-based Materials and Devices, O. Wada and H Hasegawa, John Wiley & Sons, Inc., 1999 MBE는 반도체 박막을 제조하는 몇 가지 방법 혹은 성장시스템 중 하나입니다. 물론 MBE로 반도체 박막만을 성장시키는 것은 아닙니다. 물질로는 High-K 재료에서부터 메탈까지, 구조로서는 박막은 물론 양자점, 양자선 및 나노선까지 다양한 목적, 물질, 구조의 제조에 사용됩니다. 제가 MBE를 이용해서 전자소자 및 광전소자 응용을 위한 반도체 이종박막 및 나노선을 성장하는 것이 전공이긴 합니다만, 어디서부터 어디까지를 얼마나 깊이 여기서 말씀드려야 할지 모르겠습니다. 그래서 역시 MBE 관련 서적 몇 가지를 소개해드리는 것으로 대신하겠습니다. 1. Molecular Beam Epitaxy, R. F. C. Farrow, Noyes Publications, 1995 2. Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status 2nd edition, M. A. Herman and H. Sitter, Springer, 1996 3. Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy, J. Y. Tsao, Academic Press, Inc., 1993 >이번에 위 주제 두가지 프리엔테이션을 전부 맞게 되었습니다. >도서과 참고 자료와 인터넷을 등을 찾아 보았으나 간단한 정보만 나와 있을뿐 정보가 한참 부족한 실정입니다. >그래서 이렇게 고수님들에게 도움을 요청합니다. >제발 부탁드립니다....

글을 올리고 보니 제가 질문한 분의 발표주제를 잘못 알고 있었네요. 그런데, subject와 subject2를 보니 주제가 훨씬 포괄적이고 막연합니다. 주제가 마치 학과의 이름이나 한 학기나 그 이상을 요하는 강의과목의 이름으로 어울릴 정도라서 한 번의 프리젠테이션으로 다룰 수 있을지 저로서는 자신이 없습니다.

> 그러고 보니 제가 너무 큰 주제를제시 한거 같더군요. 사실 제가 할려는 것은 MBE의 기본원리 입니다. 즉 전문가들 한테는 간단한 것이지만 MBE를 다뤄본전 없는 저로서는 꽤 어려운 일입니다. > 간단한 개요는 MBE에 들어가는 장비,역할 절차(어디서 어떻게 진공을만들고 플라즈마는 어떻게 형성되며 어디서 쏘스를 쏴서 등등), 기판에 막이 증착되는 과정,증착법, MBE를 사용했을때 장단점. MBE를 사용하는 박막의예<특성등 간단한 소개>와 같은것을 하고자합니다. > 서적은 꽤 찾아보았으나 다른 증착법에 대해서는 많은 자료가 있으나 MBE는 상당히 부족한 실정입니다. 제가 처음으로 정한 주제인만큼 주제를 바꾸지않고 이내용으로 해보고 싶습니다. 괜찮으시다면 다시한번 도움을 요청합니다. 저도 서적 및 자료들을 다시한번 찾아 보겠습니다. > 감사합니다. 이동환님의 전공이 무엇인지 몰라서 MBE에 관한 배경지식을 가지고 계신 분은 아니라는 가정하에 말씀을 드리겠습니다. MBE는 명칭에서도 알 수 있듯이 Epitaxy를 위한 장비입니다. Epitaxy란 단결정 기판위에 기판의 결정학적 오리엔테이션을 그대로 전이시키면서 단결정의 레이어를 증착시키는 것입니다. 보통 이것을 “성장(growth)“시킨다라는 말로 증착(deposition)과 구별합니다. 개념의 포괄성을 고려하였을 때 다음과 같은 부등식이 성립하겠죠. 증착>성장. 어쨌든 장비로써의 MBE는 기본적으로 thermal evaporator입니다. 소스물질을 가열하여 원자 혹은 분자 단위의 vapor를 만들고 이를 가열된 기판까지 이동시켜 기판 위에 소스물질을 붙게 만드는 것이 원리입니다. MBE가 여느 evaporator와 구별되는 것은 소스 물질이 기판까지 도달하는 환경이 초고진공(ultra high vacuum, UHV) 상태라는 것입니다. 그래서 소스 물질이 기판까지 atomic beam 혹은 molecular beam 형태로 이동할 수 있게 됩니다. UHV 환경이야말로 MBE로 하여금 초고순도 결정성장을 가능하게 하는 이유입니다. 물론 소스물질의 순도가 높아야 하는 것은 당연하구요. 여기까지가 Molecular Beam Epitaxy라고 이름지어진 배경이자 기본원리가 되겠네요. MBE 역시 ALD가 가능합니다만 제가 아는바로는 ALD는 일반적으로 CVD 기반의 증착장비로 알려져 있습니다. ALD를 실현하는 원리는 MBE와 CVD가 전혀 다릅니다만, 두 장비 모두 ALD를 실현할 수 있습니다. CVD의 경우 선택적 화학결합을 이용하지만 MBE의 경우 MEE라는 테크닉을 채용함으로써 ALD를 실현합니다. 즉 ALD와 MBE의 증착원리를 비교하는 것 보다는 MBE와 CVD의 증착원리를 비교하는 것이 MBE를 이해하는데 더 도움이 될 것으로 생각됩니다. 음... 이야기가 길어기겠는데요. MBE를 사용했을 때의 장단점을 이야기하는 것도 비교할 대상이 있어야 하는데, 보통 MOCVD, CBE, LPE 등 여러 Epitaxy 원리 및 장비가 있는데다가 성장된 epitaxial layer들의 응용영역에 따라서 관점의 차이가 있을 수 있기 때문에 쪽지를 통해서 설명을 드리기는 어려울 것 같습니다. MBE를 이용해서 얻는 박막의 예 또한 하나의 예만 든다고 하더라도 특성까지 아울러 이야기를 풀어가자면 Letter 분량에서 책 한 권 분량의 글이 될 수도 있겠습니다. 즉 이동환님께서 원하시는 것을 모두 말씀을 드리는 것은 제가 프리젠테이션을 직접 준비하는 것과 크게 다를 것이 없는 작업이 될 것 같습니다. 원리를 그림 없이 아주 간단히 설명했다고 생각했는데도 써내려온 글이 이렇게 길어졌네요. 이동환님의 학교 도서관에 책이 없어서 불편하시겠지만, 쪽지에서 말씀드렸 듯이 이웃 학교나 대형서점을 검색해서라도 책을 손에 쥐시는 것이 프리젠테이션을 준비하는 가장 좋은 해법이 될 것입니다. 그럼 프리젠테이션 준비 잘 하시고 준비하는 동안 많은 공부가 되길 바랍니다.