2006-12-08
org.kosen.entty.User@725df9a8
정준호(sengban)
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poly 3C-SiC를 wet etching 방법으로 식각하고 싶은데, 식각이 안되서 어떻한 용액들을 사용하면 되는지 알고 싶습니다. 어떤 논문에는 HF/HNO3 (2:5)로 하면 900~1200A/hr 정도 식각이 된다고 해서 시도를 해봤는데 식각이 되지않았습니다. 따라서 poly 3C-SiC를 식각하기 위해서는 어떠한 용액들을 사용해야 하는지 가르쳐주시면 감사하겠습니다.
- poly 3C-SiC
- wet etching
- composite
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 1
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답변
이영국님의 답변
2006-12-12- 0
KOSEN 분석자료에 가셔서 analyst로 “정현진“님을 입력하면 이 분이 분석하신 SiC 및 GaN의 습식에칭에 관한 분석자료를 찾으실 수 있습니다. 도움이 되었으면 좋겠네요,,,