2007-01-04
org.kosen.entty.User@24d9530d
최병삼(choisam)
- 4
고수님들의 조언이 필요합니다.
CNT FET 구조에 대해서 질문이 있습니다.
일반적인 back gate 구조로 CNT FET 소자를 제작하는데
gate 에 전압을 인가할 때 어떻게 하는건가요?
직접 power supply 를 연결해서 gate voltage 를 주어도 되는 건가요?
아님 다른 ground 나 system 이 필요한건가요?
그리고 gata 쪽과 drain, source 전극의 저항을 측정해 보면 수백옴(ohm)이 나오는데 맞는 건가요? 제가 알기로는 절연층으로 전류가 흐르지 않아야 되는거 아닌가요?
고수님들의 답변 부탁드리겠습니다.
- CNT
- FET
- device
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 4
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답변
백인재님의 답변
2007-01-05- 0
Cabon nano tube FET 에 관한것이군요... 저도 이 소자에 대해서 잘은 모르겠습니다만... 일반적인 FET와 측정방법은 동일하지 않을까 싶습니다. 보아하니 4145나 4155등의 Semiconductor analyzer를 사용하시지 않는듯 한데요... 우선 제가 아는 범위에서 부족하나마 답변을 올려봅니다. >고수님들의 조언이 필요합니다. >CNT FET 구조에 대해서 질문이 있습니다. >일반적인 back gate 구조로 CNT FET 소자를 제작하는데 >gate 에 전압을 인가할 때 어떻게 하는건가요? > >직접 power supply 를 연결해서 gate voltage 를 주어도 되는 건가요? --직접 전압을 인가하여도 무방하리라 보여집니다만...... 인가전압이 높을 경우 절연파괴 현상이 있을 수 있습니다. >아님 다른 ground 나 system 이 필요한건가요? --일반적으로 TR 의 특성은 I-V 특성하고 C-V 특성을 측정하면 알 수 있습니다. 근데 이런 특성을 보자면 별도의 측정 장비가 있어야 수월하고요.... 장비가 없다면 차라리 측정 장비 사용,대여를 해주는 센터로 가셔서 해보시는게 좋을것 같습니다. >그리고 gata 쪽과 drain, source 전극의 저항을 측정해 보면 수백옴(ohm)이 나오는데 맞는 건가요? 제가 알기로는 절연층으로 전류가 흐르지 않아야 되는거 아닌가요? --일반적으로 누설전류는 있습니다만 단위가 ~uA 이하라 전류가 흐르지 않는다고 봅니다. 절연막의 재료가 무엇인지 잘은 모르겠습니다만... 일반적인 FET의 특성으로 따진다면... 누설전류가 꽤 큰것으로 보입니다. 절연막 성막시 문제가 있던지... 다른 측정을 하다가 절연파괴가 일어났던지... Gate와 Source 전극이 쇼트가 났던지.. 문제가 있어 보입니다. >고수님들의 답변 부탁드리겠습니다. 고수는 아닙니다만 조금이나마 도움이 되시길 바랍니다. -
답변
한진우님의 답변
2007-01-12- 0
고수는 아니지만 답변 드려 봅니다. 보통의 FET라면 애질런트사의 4156을 이용하면 간편하겠지요, 만약 파워서플라이로 전압을 주시겠다면(조금 불편한 방법이겠지만), 기준 전압을 잡으실 때 주의하셔야 합니다. 일반적으로 게이트 전압은 소스 전압 기준으로 몇 볼트, 드레인도 소스 전압 기준으로 몇 볼트, 이런 식으로 인가합니다. 쉽게 말하자면 소스에 게이트와 드레인의 공통 ground를 사용하는 주의를 기울이셔야 합니다. 둘째로 절연층 저항이 수백 옴이 나오신다면(제 느낌상) 저항이 매우 낮은 것 같습니다. 게이트 절연막이 매우 leaky하지 않나 생각 되네요. 어디까지나 제 사견 입니다. -
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김재현님의 답변
2007-01-12- 0
게이트 절연층의 막질이 중요합니다. 너무 두꺼워도 안되고 너무 얇으면 리키지가 생기지요. 정확한 게이트 절연층 두께를 알고 싶네요 >고수님들의 조언이 필요합니다. > >CNT FET 구조에 대해서 질문이 있습니다. > >일반적인 back gate 구조로 CNT FET 소자를 제작하는데 > >gate 에 전압을 인가할 때 어떻게 하는건가요? > >직접 power supply 를 연결해서 gate voltage 를 주어도 되는 건가요? > >아님 다른 ground 나 system 이 필요한건가요? > >그리고 gata 쪽과 drain, source 전극의 저항을 측정해 보면 수백옴(ohm)이 나오는데 맞는 건가요? 제가 알기로는 절연층으로 전류가 흐르지 않아야 되는거 아닌가요? > >고수님들의 답변 부탁드리겠습니다. > -
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오세만님의 답변
2008-03-12- 0
>고수님들의 조언이 필요합니다. > >CNT FET 구조에 대해서 질문이 있습니다. > >일반적인 back gate 구조로 CNT FET 소자를 제작하는데 > >gate 에 전압을 인가할 때 어떻게 하는건가요? > >직접 power supply 를 연결해서 gate voltage 를 주어도 되는 건가요? > >아님 다른 ground 나 system 이 필요한건가요? > >그리고 gata 쪽과 drain, source 전극의 저항을 측정해 보면 수백옴(ohm)이 나오는데 맞는 건가요? 제가 알기로는 절연층으로 전류가 흐르지 않아야 되는거 아닌가요? > >고수님들의 답변 부탁드리겠습니다. > 안녕하세요. 저도 공부하는 학생입니다. 저도 CNT FET의 구조에 관해서는 잘 모르지만 일반적인 FET 소자의 경우 415x 같은 측정장비를 이용하는데요. 실제로 저희 연구실에서도 4156B 라는 측정장비를 이용합니다. 이 장비는 source drain gate에 인가되는 전압을 세팅값대로 넣어주고 그에 따른 전류값을 보여줍니다. 전압을 인가하기 위해서 저희가 사용하는것은 프로브스테이션입니다. 질문하신분이 제작하시는 FET가 얼마만한 싸이즈인지는 모르겠지만 저희가 주로 측정하는 소자들은 싸이즈가 20um x 20um 채널을 가지는 소자이기 때문에 현미경이 없이는 프로빙이 불가능 합니다.때문에 프로브스테이션이 필요하구요. back gate 에 전압을 인가할때는 소자 아래쪽에 전극판을 놓고 그위에 소자를 얹은다음 전극판에 프로브를 프로빙하여 전압을 넣어주구요. 아 그리고 ground 는 소스나 드레인중 한곳을 잡아주면 됩니다. 윗분중에 한분이 말씀하셨지만 gate와 source drain 사이의 저항에 대한 지적.. 저 역시도 사견이지만 윗분 말 처럼 저항이 수백옴이라면 문제가 있다고 생각되는데요 일반적으로 저희가 만드는 20x20 싸이즈 소자의 경우 리키지 전류가 수십 p 에서 수십 f 단위로 나오는데.. 저항 측정시 5V 인가되는 멀티미터로 측정하셨다면.. 전류가 슝슝 다 통한다는 소리이니.. gate 산화막이 터진게 아닌가 생각이 드네요. 물론 CNT FET 구조를 정확히 몰라 확신은 못하겠습니다. 그럼.. 수고하세요.