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>doping profile을 보려고 하는데, SIMS 말고 >SRP(Spreading Rsistance Probe)로 하려고 합니다. >국내에 SRP 측정 가능한 곳 추천 부탁드립니다. 참조하시기 바랍니다.. * doping profile SRP(Spreading Rsistance Probe) ? http://isrc.snu.ac.kr/progress02(asr).html 1. 제작회사 : SSM 2. Model 번호 : SSM SRP 150 3. 담당기사 : 박종승, 880-5454(324) pjs@snu.ac.kr 3. 시편 준비 : - Diamond compound size : 1/10, 1/4, 1/2. 1(㎛) - 시편 holder : 7“, 17“, 34“ - Lapping machine speed : 50rpm - 절연막(SiO2) 1000Å lapping time : 10sec 이때 diamond compound size : 1/2(㎛) - 보유 holder size : 8', 17', 32', 34', 52' 4. 측정 - Structure 종류 : N Bulk, P Bulk, P on N epi, N on P epi, NPN, PNP, N into P imp, P into N d ifP on p+ epi, N on N+ epi - X-Step(측정 probing length) : 0.25, 0.5, 1, 2.5, 5, 10, 25, 50, 100, 250(㎛) - Orientation : 100, 111 5. Spreading Resistance unit that measures spreading resistance over the range of 1~to>10 ohm detector : PMT(short wavelength), Ge pin diode(longwavelength) 6. Stanford lock-in amp(with variable chopper-frequency) 7. Required Sample Size (width : 1mm, length : ~10mm) [1]_도핑 프로파일 측정 장치 및 방법 - 종래의 기술 도핑 프로파일의 측정은 통상적으로 SIMS 장비(Secondary Ion Masstransport Scope)나 4탐침(Four Point Probe)에 의해 이루어 졌다. SIMS 장비를 사용한 도핑 프로파일의 측정방법은 불순물이 도핑된 웨이퍼 상에 에너지를 인가하여 배열된 워자들의 이동상태를 스펙트럼으로 체크하여, 실제 도핑된 불순물의 수를 직접 계수하여 도핑 프로파일을 측정함으로써, 도핑 프로파일을 보다 정확하게 측정할 수 있는 장점이 있는 반면, 장비의 가격이 비싸고, 고징공이 요구되며, 10^-15 이하의 도핑 농도에 대해서는 측정하기 어려운 문제점이 있다. 한편 4탐침을 이용한 도핑 프로파일의 측정 방법은, 매층마다 스퍼터링 기법 등을 통해서 접촉 저항을 형성한 후, 전기적으로 I-V 측정을 반복하여 측정하는데, 저가의 장비에 의해서 도핑 프로파일을 측정할 수 있는 장점이 있는 반면, 매층마다 접촉 저항을 형성해야 하는 번거로움이 있었다. http://isrc.snu.ac.kr/progress02(four_point_probe2).html 제작회사 : 창민 (주) Model 번호 : FPP-5000 4-POINT PROBE 장비기능 : sheet resistance 및 resistivity 측정 담당기사 : 양창열, Tel: 880-5260, ygremix@isrca.snu.ac.kr [2]_탐침기록기술 - 9. SCM : capacitance를 재는 원자현미경(8/12) EFM과 더불어 시료의 전기적 특성을 재는 유용한 장치로 SCM이 있다. SCM은 capacitance sensor를 탐침에 연결하여 탐침과 시료사이의 capacitance를 잰다. SCM에서 사용되는 capacitance sensor는 고주파(~1GHz) 발진기와 전기적 공진장치로 구성되어 있으며 외부에 연결된 capacitance가 변하면 공진 주파수가 변하는 것에 의해 매우 작은 capacitance(10-19F)까지도 측정할 수 있게 되어 있다. 그러나 나노미터 크기의 탐침과 시료 사이의 capacitance(10-16~10-18F)는 주위의 stray capacitance(10-13F)에 비해 훨씬 작아서 직접 C값을 잴 수 없기 때문에, 낮은 주파수(~100KHz)로 측정신호를 변조시킨 후 lock-in amp로 dC/dV, 즉 C의 전압에 대한 미분치를 재게 된다. SCM을 사용하면 carrier density 를 측정할 수 있으며 반도체 소자의 2차원적 doping profile을 알아내는데 유용하다. http://www.nnfc.com/index.html 장비명 : Atomic Force Microscope 회사 : PSIA (Korea) 모델 : XE-100 with EFM, MFM, SCM, Litho 응용 : EFM, MFM, SCM, SPM nano lithography, I/V. Tel : 042-879-9500 [3]_반도체의 불순물 농도 측정 및 저항측정 http://midaslab.cnu.ac.kr/equip.htm 장비명 : 4-point prober 충남대학교 전자공학과 반도체실험실, TEL (042) 821-7702