2007-01-24
org.kosen.entty.User@33f79220
황현두(hhd5310)
- 1
1. a-Si:H layer에 빛의 쏘여졌을때 자세한 mechanism이 궁금합니다.
2. a-Si:H layer의 두께와 빛의 파장, 광전도도의 관계가 궁금합니다.
3. 2000A정도의 얇은 a-Si:H layer에 백색광을 쏘여주었을때보다,
8000A정도의 layer에 쏘여주었을때 광전도성이 뚜렷하게 나타나는 이유가 무엇일까요?
- a-Si:H
- photoconductivity
지식의 출발은 질문, 모든 지식의 완성은 답변!
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
답변 1
-
답변
권혁순님의 답변
2007-01-29- 0
> >1. a-Si:H layer에 빛의 쏘여졌을때 자세한 mechanism이 궁금합니다. > >2. a-Si:H layer의 두께와 빛의 파장, 광전도도의 관계가 궁금합니다. > >3. 2000A정도의 얇은 a-Si:H layer에 백색광을 쏘여주었을때보다, >8000A정도의 layer에 쏘여주었을때 광전도성이 뚜렷하게 나타나는 이유가 무엇일까요? 허접하지만 제 생각을 말씀드립니다.. 1.a-Si:H layer에 빛의 쏘여졌을때 자세한 mechanism이 궁금합니다. --> a-Si:H 역시 sigle Si과는 다르게 재료적으로 defect도 많고, 결정적으로 short range order를 갖고 있지만 band gap이 존재하잖아요..그런데 그 band gap에 해당하는 빛이 들어오면 가전도대에서 전도대로 전자가 점프해서 올라가니까 전자와 홀이 생기므로 전도도가 증가할 것이구요 2. a-Si:H layer의 두께와 빛의 파장, 광전도도의 관계가 궁금합니다. -->보통 a-Si의 밴드갭은 가시광 영역대와 비슷합니다. 그리고 single si은 a-Si보다 밴드갭이 작습니다(이 부분은 저도 잘 이해는 가지 않아서 저도 한번 질문 하려구요) 그렇기 때문에 오히려 파장이 짧거나 긴 자외선 혹은 적외선 영역에서는 광전도도가 가시광 영역에 비해 적을 것으로 생각됩니다. 3. 2000A정도의 얇은 a-Si:H layer에 백색광을 쏘여주었을때보다, >8000A정도의 layer에 쏘여주었을때 광전도성이 뚜렷하게 나타나는 이유가 무엇일까요? --> 백색광 역시 가시광이잖아요..그런데 이 가시광이 a-Si:H 의 흡수계수에 의해 다 흡수되는 두께 까지는 백색광이 투과해 갈 것입니다. 그렇다면 빛이 다 흡수되서 없어지는 두께까지 진행하면서 전자와 홀을 계속 생산해내겠죠?? 그렇다면 8000A이 2000A의 a-Si:H가 광전도성이 좋을 수 있을 거라 생각합니다...흡수계수로 계산해보세요..^^ 이상 허접한 제 생각이였구요...다른 분들은 어떻게 생각하시는 지 모르겠습니다..