2007-02-09
org.kosen.entty.User@590a8cab
김진필(kjp1222)
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노광에 의해 고착된 유기 화합물을 효과적으로 제거할 수 있는 방법을 알고자 합니다.
일반적으로 염기성의 약액을 이용하여 제거한다고 알고는 있습니다.
보다 효과적인 방법을 아시는 분들의 답변 기다리겠습니다.
- Photolothograpy
- organic compound
- strip
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 4
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답변
천승환님의 답변
2007-02-13- 0
>노광에 의해 고착된 유기 화합물을 효과적으로 제거할 수 있는 방법을 알고자 합니다. > >일반적으로 염기성의 약액을 이용하여 제거한다고 알고는 있습니다. > >보다 효과적인 방법을 아시는 분들의 답변 기다리겠습니다. > > photo-resist를 제거하기 위한 방법을 문의하시는것 같습니다. 그렇다면 Striper가 가장 일반적인 방법입니다. striper는 유기 solvet 계와 수계 striper가 있습니다. 물론 일반적인 경우는 유기 solvent계 striper이지요 그러나 이 또한 Posi PR, Nega PR에 따라 다르기 때문에 어떤solvet면 된다는 식의 답은 없습니다. striper관련 특허를 찾아보시면 충분이 가능하리라 생각됩니다. -
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김기수님의 답변
2007-02-13- 0
>노광에 의해 고착된 유기 화합물을 효과적으로 제거할 수 있는 방법을 알고자 합니다. > >일반적으로 염기성의 약액을 이용하여 제거한다고 알고는 있습니다. > >보다 효과적인 방법을 아시는 분들의 답변 기다리겠습니다. > > Striper나 O2 plasma ashing 이나 황산과수 cleaning (H2SO4:H2O2=1:1) 을 하는 걸로 알고 있습니다. -
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윤재영님의 답변
2007-02-15- 0
O2 plasma ashing 이나 황산과수 cleaning (H2SO4:H2O2=1:1)의 사용에 대해서 말씀하신 것이 맞습니다. 문제는 over dose의 UV나 O2 ashing에 의해서 PR이 지나치게 경화되거나 탄화 되었을 경우인데,, 보통은 물리적 방법을 제외하고는 제거할 수 있는 방법이 없습니다. 저의 경우는 시편을 버리고 다시 시작하는 것이 정신 건강에 이롭더군요. -
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김도영님의 답변
2007-11-24- 0
>노광에 의해 고착된 유기 화합물을 효과적으로 제거할 수 있는 방법을 알고자 합니다. > >일반적으로 염기성의 약액을 이용하여 제거한다고 알고는 있습니다. > >보다 효과적인 방법을 아시는 분들의 답변 기다리겠습니다. > > 일반적으로 Photo resist가 도포된 후 노광에 의해 제거되어야 할 부분은 Develop액을 도포하여 선택적으로 제거 하게 됩니다. (일반적으로 전면에 develop액을 도포 후 Puddle Time을 거친 후에 spin 방식을 이용하여 Dry하는 과정을 거치게 됩니다. Develop으로 선택적으로 제거된 Photo resist 영역을 이용하여 효과적으로 pattern의 선택적 etch가 이루어 지게 되는거구요 선택적 제거가 끝난 이후 불필요하게된 Photo resisit는 먼저 말씀하시건처럼 O2 plasma ashing 이나 황산과수 cleaning (H2SO4:H2O2=1:1)를 사용하여 제거 하게 됩니다. over Exopsure가 이루어지면 제거가 어렵다고 하셨는데.. 이부분은 저는 이해가 조금 되지 않는 부분입니다만.. strip 과정을 거치면 거의 대부분 깨끗하게 제거되는걸로 알고 있습니다.