2007-04-03
org.kosen.entty.User@20d8923
정종국(zzang036)
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안녕하십니까.
Cu 성막에 대한 Voltage 변화를 알고 싶습니다.
DC 마그네트론 스퍼터링을 이용한 멀티 성막실험 진행중 기존의 AlNd 타겟을 이용한 증착실험과 달리 Cu 타겟을 이용한 성막 test의 경우 전압 변화가 100V 이상 변화가 발생합니다.
타겟의 두께와 타겟과 기판거리 가스유량은 동일 합니다. 단지 타겟 사이즈변화와 마그네트론 크기가 1인치 크게 작용한다는 이유만 존재합니다.
마그네틱의 크기에 따른 투입 파워의 밀도가 변화 한거 아닐까요?
사용되는 전원 Maker 다르다는 이유도 될수 있나요?
답변 부탁드립니다.
- Cu
- Copper
- sputtering
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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