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지식나눔

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일반 유리기판 위에 wet coating된 SiO2의 제거 방법

2007-05-30 org.kosen.entty.User@43add737 강현욱(hanulgil)
  • 5
유리기판 위에 실리카 입자 suspension을 spin coating하였습니다. 그런 후, 이 기판을 150도 정도에서 소성하였습니다. 이렇게 형성된 silica 입자 코팅층 만을 선택적으로 제거할 수 있는 방법을 알고 싶습니다. 일반적인 에칭의 경우 기판인 glass에도 영향을 줄 가능성이 있어서 사용하기에는 문제가 될 지도 몰라서 다른 방법을 찾아보고 있습니다. 좋은 의견 부탁드립니다.
  • Silica
  • wet coating
  • glass
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답변 5
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    김종윤님의 답변

    2007-05-30
    • 0
    질문 내용만으로보면 특별히 화학적 반응에 의하여 붙어있을 가능성은 낮습니다. 150도 소성만으로 화학적 반응에 의해 결합되어 있기 힘들고, 단지 물리적 힘만으로 붙어 있을 가능성이 크므로, 약간의 초음파만으로 분리가 잘 될 듯 싶습니다. >유리기판 위에 실리카 입자 suspension을 spin coating하였습니다. >그런 후, 이 기판을 150도 정도에서 소성하였습니다. > >이렇게 형성된 silica 입자 코팅층 만을 선택적으로 제거할 수 있는 >방법을 알고 싶습니다. >일반적인 에칭의 경우 기판인 glass에도 영향을 줄 가능성이 있어서 >사용하기에는 문제가 될 지도 몰라서 다른 방법을 찾아보고 있습니다. > >좋은 의견 부탁드립니다.
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    질문 내용만으로보면 특별히 화학적 반응에 의하여 붙어있을 가능성은 낮습니다. 150도 소성만으로 화학적 반응에 의해 결합되어 있기 힘들고, 단지 물리적 힘만으로 붙어 있을 가능성이 크므로, 약간의 초음파만으로 분리가 잘 될 듯 싶습니다. >유리기판 위에 실리카 입자 suspension을 spin coating하였습니다. >그런 후, 이 기판을 150도 정도에서 소성하였습니다. > >이렇게 형성된 silica 입자 코팅층 만을 선택적으로 제거할 수 있는 >방법을 알고 싶습니다. >일반적인 에칭의 경우 기판인 glass에도 영향을 줄 가능성이 있어서 >사용하기에는 문제가 될 지도 몰라서 다른 방법을 찾아보고 있습니다. > >좋은 의견 부탁드립니다.
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    허순영님의 답변

    2007-05-30
    • 0
    >유리기판 위에 실리카 입자 suspension을 spin coating하였습니다. >그런 후, 이 기판을 150도 정도에서 소성하였습니다. > >이렇게 형성된 silica 입자 코팅층 만을 선택적으로 제거할 수 있는 >방법을 알고 싶습니다. >일반적인 에칭의 경우 기판인 glass에도 영향을 줄 가능성이 있어서 >사용하기에는 문제가 될 지도 몰라서 다른 방법을 찾아보고 있습니다. > >좋은 의견 부탁드립니다.
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    >유리기판 위에 실리카 입자 suspension을 spin coating하였습니다. >그런 후, 이 기판을 150도 정도에서 소성하였습니다. > >이렇게 형성된 silica 입자 코팅층 만을 선택적으로 제거할 수 있는 >방법을 알고 싶습니다. >일반적인 에칭의 경우 기판인 glass에도 영향을 줄 가능성이 있어서 >사용하기에는 문제가 될 지도 몰라서 다른 방법을 찾아보고 있습니다. > >좋은 의견 부탁드립니다.
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    황영규님의 답변

    2007-05-31
    • 0
    >유리기판 위에 실리카 입자 suspension을 spin coating하였습니다. >그런 후, 이 기판을 150도 정도에서 소성하였습니다. > >이렇게 형성된 silica 입자 코팅층 만을 선택적으로 제거할 수 있는 >방법을 알고 싶습니다. >일반적인 에칭의 경우 기판인 glass에도 영향을 줄 가능성이 있어서 >사용하기에는 문제가 될 지도 몰라서 다른 방법을 찾아보고 있습니다. > >좋은 의견 부탁드립니다. 답변: 사용하신 suspension의 정확한 종류를 알수 는 없지만 Ludox silica sol인 경우에는 150도 열처리후에 sonication 정도면 떨어질 것으로 생각이 됩니다. 하지만, TEOS을 Ethanol에 분산시킨 sol의 경우 suspension의 경우 가수분해가 상당히 진행되었을 것으로 예상이 되며 이때는 NaOH의 농도를 달리하여 시간에 따라서 코팅층을 etching 하면 될 것 같습니다. 유리기판위에 코팅된 silica의 경우 porous 할 것으로 예측이 되며 강도 및 접착력이 상대적으로 낮을 것이기 때문에 NaOH의 농도를 잘 조절하면 효과를 볼 수 있을 것으로 생각됩니다.
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    >유리기판 위에 실리카 입자 suspension을 spin coating하였습니다. >그런 후, 이 기판을 150도 정도에서 소성하였습니다. > >이렇게 형성된 silica 입자 코팅층 만을 선택적으로 제거할 수 있는 >방법을 알고 싶습니다. >일반적인 에칭의 경우 기판인 glass에도 영향을 줄 가능성이 있어서 >사용하기에는 문제가 될 지도 몰라서 다른 방법을 찾아보고 있습니다. > >좋은 의견 부탁드립니다. 답변: 사용하신 suspension의 정확한 종류를 알수 는 없지만 Ludox silica sol인 경우에는 150도 열처리후에 sonication 정도면 떨어질 것으로 생각이 됩니다. 하지만, TEOS을 Ethanol에 분산시킨 sol의 경우 suspension의 경우 가수분해가 상당히 진행되었을 것으로 예상이 되며 이때는 NaOH의 농도를 달리하여 시간에 따라서 코팅층을 etching 하면 될 것 같습니다. 유리기판위에 코팅된 silica의 경우 porous 할 것으로 예측이 되며 강도 및 접착력이 상대적으로 낮을 것이기 때문에 NaOH의 농도를 잘 조절하면 효과를 볼 수 있을 것으로 생각됩니다.
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    손유환님의 답변

    2007-05-31
    • 0
    >유리기판 위에 실리카 입자 suspension을 spin coating하였습니다. >그런 후, 이 기판을 150도 정도에서 소성하였습니다. 실리카입자만 spin coating으로 film을 만드셧나여? 일반적인 화학적 에칭은 glass 기판까지 영향을 주기에 선택적인 에칭은 어려운것으로 생각됩니다. 만약 코팅된 필름의 물성 증대를 위하여 유기 첨가체아 실리카 입자와 같이 코팅하였다면 열처리 온도를 더 높이여 유기물을 먼저 제거하신후 실리카 입자의 밀도를 고려하시어 용매에서 밀도차로 분리 하시면 효과적일 것으로 생각되어집니다. 단 이때 약간의 열이나 초음파 같은 에너지로 이동성을 증가 시켜주면 분리능이 좋아질것 같읍니다. > >이렇게 형성된 silica 입자 코팅층 만을 선택적으로 제거할 수 있는 >방법을 알고 싶습니다. >일반적인 에칭의 경우 기판인 glass에도 영향을 줄 가능성이 있어서 >사용하기에는 문제가 될 지도 몰라서 다른 방법을 찾아보고 있습니다. > >좋은 의견 부탁드립니다.
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    >유리기판 위에 실리카 입자 suspension을 spin coating하였습니다. >그런 후, 이 기판을 150도 정도에서 소성하였습니다. 실리카입자만 spin coating으로 film을 만드셧나여? 일반적인 화학적 에칭은 glass 기판까지 영향을 주기에 선택적인 에칭은 어려운것으로 생각됩니다. 만약 코팅된 필름의 물성 증대를 위하여 유기 첨가체아 실리카 입자와 같이 코팅하였다면 열처리 온도를 더 높이여 유기물을 먼저 제거하신후 실리카 입자의 밀도를 고려하시어 용매에서 밀도차로 분리 하시면 효과적일 것으로 생각되어집니다. 단 이때 약간의 열이나 초음파 같은 에너지로 이동성을 증가 시켜주면 분리능이 좋아질것 같읍니다. > >이렇게 형성된 silica 입자 코팅층 만을 선택적으로 제거할 수 있는 >방법을 알고 싶습니다. >일반적인 에칭의 경우 기판인 glass에도 영향을 줄 가능성이 있어서 >사용하기에는 문제가 될 지도 몰라서 다른 방법을 찾아보고 있습니다. > >좋은 의견 부탁드립니다.
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    김형준님의 답변

    2007-09-04
    • 0
    >유리기판 위에 실리카 입자 suspension을 spin coating하였습니다. >그런 후, 이 기판을 150도 정도에서 소성하였습니다. > >이렇게 형성된 silica 입자 코팅층 만을 선택적으로 제거할 수 있는 >방법을 알고 싶습니다. >일반적인 에칭의 경우 기판인 glass에도 영향을 줄 가능성이 있어서 >사용하기에는 문제가 될 지도 몰라서 다른 방법을 찾아보고 있습니다. > >좋은 의견 부탁드립니다. 화학적인 방법은 매우 어려운 선택일 거 같습니다. SiO2가 불화수소산(HF 통상 불산)에 녹기는 합니다만, 기판 또한 유리(소다라임인지 붕규산인지 모르지만)라 쉽게 선택할 수 없는 상황이죠. 물론 불산을 5%정도 희석하고 질산 또는 황산을 10%이하로 섞은 혼합산을 사용하면 혹시라도 세정이 될 수도 있겠습니다. 그러나 유리 기판을 손상시키지 않으려면 단순히 담그는 방법이 아닌 혼합산이 섞인 용액을 뿌리거나 기판을 회전시켜 기계적인 효과도 보는 것도 좋을 겁니다. 크리스탈 유리 폴리싱할 때 많이 써먹는 수법입니다. 코팅 두께가 그리 두껍지 않다면 CeO2 현탁액을 뿌리면서 회전 브러쉬로 긁어내는 것도 방법일 수 있습니다. CeO2가 기계적이기도 하지만 화학적인 반응도 하기 때문에 효과적일 수도 있습니다.
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    >유리기판 위에 실리카 입자 suspension을 spin coating하였습니다. >그런 후, 이 기판을 150도 정도에서 소성하였습니다. > >이렇게 형성된 silica 입자 코팅층 만을 선택적으로 제거할 수 있는 >방법을 알고 싶습니다. >일반적인 에칭의 경우 기판인 glass에도 영향을 줄 가능성이 있어서 >사용하기에는 문제가 될 지도 몰라서 다른 방법을 찾아보고 있습니다. > >좋은 의견 부탁드립니다. 화학적인 방법은 매우 어려운 선택일 거 같습니다. SiO2가 불화수소산(HF 통상 불산)에 녹기는 합니다만, 기판 또한 유리(소다라임인지 붕규산인지 모르지만)라 쉽게 선택할 수 없는 상황이죠. 물론 불산을 5%정도 희석하고 질산 또는 황산을 10%이하로 섞은 혼합산을 사용하면 혹시라도 세정이 될 수도 있겠습니다. 그러나 유리 기판을 손상시키지 않으려면 단순히 담그는 방법이 아닌 혼합산이 섞인 용액을 뿌리거나 기판을 회전시켜 기계적인 효과도 보는 것도 좋을 겁니다. 크리스탈 유리 폴리싱할 때 많이 써먹는 수법입니다. 코팅 두께가 그리 두껍지 않다면 CeO2 현탁액을 뿌리면서 회전 브러쉬로 긁어내는 것도 방법일 수 있습니다. CeO2가 기계적이기도 하지만 화학적인 반응도 하기 때문에 효과적일 수도 있습니다.
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