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산화물의 일함수 (Work function) 알수있는 곳이 어디인가요?

ZrO2 MgO Al2O3 Y2O3 위와 같은 산화물에 대한.. 일함수 나온 책이나 싸이트 아시는분 혹시 있나요?
  • Work function
  • oxides
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    안길홍님의 답변

    일반적으로 일함수란 에너지 장벽인 potential energy의 장벽을 뛰어넘어 전자 하나를 방출시키기 위한 최소에너지를 말함으로써 자유전자의 Fermi준위와 진공준위 사이의 에너지차와 같습니다. 이러한 일함수를 qφ로 표시하면 이 수치는 줄[J]을 단위로 하고, 이때 φ는 전위차의 단위[eV:전자볼트]를 갖는다.(q:coulomb) 이와같이 일함수란 전자가 포텐셜 장벽을 넘어서 방출되는 에너지에 해당되므로,전도전자로 이루어져 있는 도체인 금속에서 주로 적용 됩니다.[유첨 참고자료:what is the work function-출처:wikipedia: google.com에서 검색; 검색어-work function] 산화물에서는 일함수 보다 band gap energy(eV)라는 개념으로 사용됨이 적절합니다. Band gap energy는 온도,압력의 변수입니다. 산화물에서는 진성반도체,n-type반도체,p-type반도체가 있는데 이중에서 p-type반도체는 정공(hole)이 지배적이며,n-type반도체는 전자(electron)이 지배적으로 어떠한 종류의 불순물을 doping하느냐에 따라 band gap energy가 약간씩 차이가 있습니다. 따라서 진성반도체(전자와 정공이 평형인 반도체)에 의하여 측정된 band gap energy를 답변합니다. ZrO2 : 39 ~ 45eV MgO : 5.7eV에서 공명 Al2O3 : 5.95eV Y2O3 : 5.07 & 5.73eV 측정방법에 따라서 약간의 오차가 있습니다. 이에 대한 자료는 유첨과 같습니다.검색하기 위하여서는 google.com에서 검색어 bandgap,각각의 산화물 별로 입력하여 찾아보아야 합니다. 유첨자료가 초과되어 분리하여 답변합니다.
    일반적으로 일함수란 에너지 장벽인 potential energy의 장벽을 뛰어넘어 전자 하나를 방출시키기 위한 최소에너지를 말함으로써 자유전자의 Fermi준위와 진공준위 사이의 에너지차와 같습니다. 이러한 일함수를 qφ로 표시하면 이 수치는 줄[J]을 단위로 하고, 이때 φ는 전위차의 단위[eV:전자볼트]를 갖는다.(q:coulomb) 이와같이 일함수란 전자가 포텐셜 장벽을 넘어서 방출되는 에너지에 해당되므로,전도전자로 이루어져 있는 도체인 금속에서 주로 적용 됩니다.[유첨 참고자료:what is the work function-출처:wikipedia: google.com에서 검색; 검색어-work function] 산화물에서는 일함수 보다 band gap energy(eV)라는 개념으로 사용됨이 적절합니다. Band gap energy는 온도,압력의 변수입니다. 산화물에서는 진성반도체,n-type반도체,p-type반도체가 있는데 이중에서 p-type반도체는 정공(hole)이 지배적이며,n-type반도체는 전자(electron)이 지배적으로 어떠한 종류의 불순물을 doping하느냐에 따라 band gap energy가 약간씩 차이가 있습니다. 따라서 진성반도체(전자와 정공이 평형인 반도체)에 의하여 측정된 band gap energy를 답변합니다. ZrO2 : 39 ~ 45eV MgO : 5.7eV에서 공명 Al2O3 : 5.95eV Y2O3 : 5.07 & 5.73eV 측정방법에 따라서 약간의 오차가 있습니다. 이에 대한 자료는 유첨과 같습니다.검색하기 위하여서는 google.com에서 검색어 bandgap,각각의 산화물 별로 입력하여 찾아보아야 합니다. 유첨자료가 초과되어 분리하여 답변합니다.
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    Work function을 또다른 전기적인 접근방법을 적용하여 이해할 수 있습니다. 반도체는 가전자대(+ 전기),전도대(- 전기)로 이루어져 있는 물질로써 +와 -간에는 전기적인 힘이 작용합니다.그 사이에 금지대가 있습니다. 이를 전체적으로 하나의 콘덴사(Condenser)로 생각해 볼 수 있습니다. 앞서 Work function W =qφ (1식)로써 ( W: joule, q : coulomb,φ : eV) potential 장벽을 넘을 수 있는 에너지를 말합니다. 반도체의 외부로 부터 전기장(electron field)이 가하여 졌을 때 가하여진 외부전기장의 에너지 U=1/2CVsquare (2식)로 주어집니다.[U :joule,C : Farad ,V : volt(또는 eV)] 외부에서 가해진 전기장의 전하는 q = CV라는 관계가 적용되므로 (식1)과 (식2)에서 W=2U=CVsquare (식3)이라는 관계가 성립하게 됩니다. 이는 다시말하여 외부에서 가하여진 전기장이 반도체내부의 인력 즉,가전자대와 전도대간의 +/-간 전기적인coulomb인력을 초과할 경우 전자는 외부로 방출하게 된다는 것을 알 수 있습니다. 이를 정리하면 대기중에서의 전자방출(electron field emission)을 일으킬 수 있으며(에:PDP display등),전기장의 세기를 적절히 조절하여 MNOS형 반도체 회로,FET반도체 회로등을 구성 할 수 있습니다. 참고로 EFE(electron field emission에 의하여 bandgap이 전기장의 세기 에 따라서 어떠한 영향이 있는지에 대한 자료를 올립니다) ***** 1eV = 1.60x10(-19승)Joule ********
    Work function을 또다른 전기적인 접근방법을 적용하여 이해할 수 있습니다. 반도체는 가전자대(+ 전기),전도대(- 전기)로 이루어져 있는 물질로써 +와 -간에는 전기적인 힘이 작용합니다.그 사이에 금지대가 있습니다. 이를 전체적으로 하나의 콘덴사(Condenser)로 생각해 볼 수 있습니다. 앞서 Work function W =qφ (1식)로써 ( W: joule, q : coulomb,φ : eV) potential 장벽을 넘을 수 있는 에너지를 말합니다. 반도체의 외부로 부터 전기장(electron field)이 가하여 졌을 때 가하여진 외부전기장의 에너지 U=1/2CVsquare (2식)로 주어집니다.[U :joule,C : Farad ,V : volt(또는 eV)] 외부에서 가해진 전기장의 전하는 q = CV라는 관계가 적용되므로 (식1)과 (식2)에서 W=2U=CVsquare (식3)이라는 관계가 성립하게 됩니다. 이는 다시말하여 외부에서 가하여진 전기장이 반도체내부의 인력 즉,가전자대와 전도대간의 +/-간 전기적인coulomb인력을 초과할 경우 전자는 외부로 방출하게 된다는 것을 알 수 있습니다. 이를 정리하면 대기중에서의 전자방출(electron field emission)을 일으킬 수 있으며(에:PDP display등),전기장의 세기를 적절히 조절하여 MNOS형 반도체 회로,FET반도체 회로등을 구성 할 수 있습니다. 참고로 EFE(electron field emission에 의하여 bandgap이 전기장의 세기 에 따라서 어떠한 영향이 있는지에 대한 자료를 올립니다) ***** 1eV = 1.60x10(-19승)Joule ********
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