2007-08-07
org.kosen.entty.User@25cd9a9f
이원희(love212331)
- 2
궁금해서 올립니다.
실리콘 웨이퍼가 있고 사파이어 웨이퍼 또 글라스가 있는데요
이것들을 기판으로 쓸때 차이점이 어떤것들이 있나 궁금합니다.
모 어떤것에는 단결정 성장이 잘되고
어떤것에는 라티쓰 미스매치가 있어서 영향을 주는지등
자세히 알고 싶습니다.
알려주세요~~~ ^^
- wafer
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답변 2
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답변
김정렬님의 답변
2007-08-08- 0
단결정 기판과 비정질 기판의 차이라고 보시면 좋겠습니다. 단결정 기판 1. 실리콘, 100, 110, 111 배향의 기판이 있습니다. 실리콘을 성장 시킬 때에 결정하는 것입니다. 판단은 실리콘의 플랫 면에서 수직한 방향을 의미합니다. 실리콘 단결정 위에 바로 어떤 메탈이나, 세라믹의 결정 방향을 위하여 직접 막을 성장하지는 않는 것 같습니다. 제가 했던 것은, 실리콘 위에 산화막을 성장시키고(고온 퍼니스), 접착층으로 상부에 오르는 금속과 산화막을 잘 붙일 수 있는 접착층을 올리고, 상부에 금속이나 세라믹을 금속의 방향성에 따라 성장시키는 방법을 많이 사용하였습니다. 예로, Si/SiO2/Ti(TiO2)/Pt(111 or 100)/PZT(111) 과 같이 성장 시킵니다. 2. 사파이어 기판 이것은 결정학에서 a,b,c 의 결정 격자의 차이에 따라,알파 베타 감마 알루미나로 얻어집니다. 주로 0001 의 방향을 많이 사용하는 것 같습니다. 3. 기판의 방향에 따라 곧바로 기판의 방향으로 성장시킬 물질이 방향성을 가지고 성장하여 올라가지는 않고 약간의 융화되는 영역이 있는 것으로 논문에서 읽었구요, 그 다음에 성장하는 물질의 결정이 올라가는 것입니다. 이 인터페이스 에서 결정이 약간 줄어들거나, 좁아집니다. 도움이 되었으면 합니다. >궁금해서 올립니다. > >실리콘 웨이퍼가 있고 사파이어 웨이퍼 또 글라스가 있는데요 > >이것들을 기판으로 쓸때 차이점이 어떤것들이 있나 궁금합니다. > >모 어떤것에는 단결정 성장이 잘되고 >어떤것에는 라티쓰 미스매치가 있어서 영향을 주는지등 >자세히 알고 싶습니다. > >알려주세요~~~ ^^ -
답변
이익환님의 답변
2007-08-10- 0
>궁금해서 올립니다. > >실리콘 웨이퍼가 있고 사파이어 웨이퍼 또 글라스가 있는데요 > >이것들을 기판으로 쓸때 차이점이 어떤것들이 있나 궁금합니다. > >모 어떤것에는 단결정 성장이 잘되고 >어떤것에는 라티쓰 미스매치가 있어서 영향을 주는지등 >자세히 알고 싶습니다. > >알려주세요~~~ ^^ 앞으로 무선통신 산업의 폭발적인 성장과 실리콘을 기반으로 하는 MOSFET성능의 한계 때문에 질화물반도체를 기반으로 하는 .... 사파이어 기판과 질화물반도체와의 격자상수 차이는 약 13%이지만, SiC는 3%로 상대적으로 작고, 에피 결정성도 SiC 기판 ... 관련 사이트 논문참고하세요