2007-08-28
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곽계영(atomkwak)
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Si wafer위에 증착되어 있는 nanosize의 Ag particle을 제거하려면 어떤 방법을 사용해야 할까요?
wafer에 손상을 주지 않고 Ag만 제거하고 싶습니다.
질산,염산을 희석해서 제거하는 방법과 산을 쓰지 않고 제거하는 방법이 있을까요?
예를들면) Au 일때는 iodine(I)과 pottasium iodine(KI)을 적절히 섞어서 제거할 수 있다고 하는데요...
이 방법을 Ag일때도 사용해도 ？I찮을 건지요.
답변 부탁드립니다.
- Ag nanoparticle
- removal
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 3
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답변
안길홍님의 답변
2007-08-28- 0
증착된 Ag layer의 thickness가 얼마가 되는지 모르겠으나,다음의 방법을 한번 test하여 보시기 바랍니다. 1st: 1/20,000(by wt %)질산은(AgNO3)용액 에 16HR, at pH9(pH 조정) and 37℃에 dipping함. 2nd: 10% sodium sulfite용액에 1%(by wt %) hydroquinone을 혼합하여 wafer를 5시간 동안 dipping함. 3rd: tap-water로 washing함. 4th: distilled water로 washing함. 5th: absolute alcohol로 washing함. 실험실 base로 꽤 오래전에 test하여 본적이 있습니다. (귀하의 실험조건에 부합하는지는 모르겠습니다.) -
답변
곽계영님의 답변
2007-08-29- 0
>Si wafer위에 증착되어 있는 nanosize의 Ag particle을 제거하려면 어떤 방법을 사용해야 할까요? >wafer에 손상을 주지 않고 Ag만 제거하고 싶습니다. > >질산,염산을 희석해서 제거하는 방법과 산을 쓰지 않고 제거하는 방법이 있을까요? > >예를들면) Au 일때는 iodine(I)과 pottasium iodine(KI)을 적절히 섞어서 제거할 수 있다고 하는데요... >이 방법을 Ag일때도 사용해도 ？I찮을 건지요. > >답변 부탁드립니다. 먼저 답변에 감사드립니다. 답변에 관련해서 추가 질문이 있습니다. 1)번에서 질산은을 희석해서 16시간 dipping한다고 했는데 비슷한 방법으로 질산(HNO3)을 희석해서 사용하면 않돼나요?(혹시 wifer가 손상을 받나요?) 2)그리고 Au를 제거할 때 사용하는 조성으로 하면(ex I+KI 혼합액) Ag와 비슷한 반응성을 가지게 되는지요? 3)layer두께가 200nm 정도이고 Ag nanoparticle이 100nm정도라고 했을 때 수분정도(약 10분정도)에서 Ag를 removal할 수 있는 방법이 있을까요? 질문이 장황하고 많아 졌습니다. 그럼 .... -
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안길홍님의 답변
2007-08-29- 0
(1)wafer는 Nitric acid에 의하여 손상을 받을 우려가 있기 때문에 피하는 것이 좋습니다. 그러나 AgNO3는 pH: about~6.0 이므로 사용상에 wafer에 영향이 없습니다.그리고 pH의 조정은 암모니아수로 하시는 것이 좋습니다. (2) Au는 Halogen(I,Br,Cl)화합물에 soluble하나, Ag는 용해되지 않습니다. (3)수분정도(10분)에서 용해되는 것은 Si wafer에 손상이 가는 것을 감수할 것 같으면 Hot Nitric acid를 사용하면 가능하나,그렇지 않고는 매우 어려울 것으로 알고 있습니다. (주요 금속의 solubility chart를 참고file로 올립니다)