지식나눔

박막 프로세스에 따른 조직 형상

최종 구현하고자 하는 thin film의 물질을 서로 다른 방법에 의해 진행했을 시 외견상의 차이(조직이나 형상)가 어떤지 궁금합니다. 더불어 결정상에서 차이가 나지는 않겠지만 혹시 다른 부분에 차이가 발생하는 것은 없는지요?? 박막에 대해 여러 자료들이 나와있는데 혹시 초보자가 쉽게 볼수 있는 자료나 서적이 있음 추천바랍니다. 그리고 수많은 박막 처리 방법들이 있는데 금속 혹은 해당 금속의 산화물의 두께를 올리기에 가장 좋은 방법으로는 어떠한 것이 나을지...2~4um 정도까지도 생각중인데 어떠한 방법이 좋을지 추천바랍니다. 현재는 CVD와 DC Sputter 두 방법을 고려 중인데 많은 고견 부탁드립니다. 그리고 혹시 국내에 Mo(Molybdenum) or MoO3을 이용하여 박막 연구를 하시는 분은 없는지요? 학교나 연구 기관 등 혹시 아시는 분 있으심 답변 부탁드립니다. 그럼 수고들하세요~~
  • CVD
  • Sputter
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답변 6
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    정동진님의 답변

    좋은 말씀과 정보 감사합니다. 혹시 국내에 Mo 혹은 MoO3 재료를 이용 thin filme 분야에 연구를 하시는 분은 없으신지요? 다양한 의견 감사드립니다. 그럼 수고들하세요.
    좋은 말씀과 정보 감사합니다. 혹시 국내에 Mo 혹은 MoO3 재료를 이용 thin filme 분야에 연구를 하시는 분은 없으신지요? 다양한 의견 감사드립니다. 그럼 수고들하세요.
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    안길홍님의 답변

    jdj1028님 께서 MoO3의 박막에 관하여 일반적인 사항을 말씀하시는 것 같은데,MoO3는 electric-switching기능을 가지고 있습니다. WO3도 3차원 터널구조인 격자구조로써 격자사이에 Li+이온등이 intercalation될 수 있습니다.여기에서 가장 큰 특징은 Li+ ion이 intercalation되면 MoO3-WO3 mixed oxide material 이 투명으로 변화하는 특성을 가지고 있습니다. 따라서 Li+ intercalated MoO3-WO3로써 Transparent coating을 만들 수 있습니다.이에 따라서 (1)TCO(transparent conducting oxide film)을 만들 수 있으며,(2)Ag,Au,Pt등을 doping한 Se-Mo-WOx type으로써 Transparent photocatalytic film을 만들 수 있으며,(3)Zn-Mo-WOx type으로써 Transparent anti-reflection coating을 만들 수 있으며,(4)Electric-switching기능에 의하여 일명 “Smart window“를 만들 수 있습니다. 따라서 jdj1028님께서 어떠한 분야에 대하여 관심이 있으신지에 대하여 알아야 정확한 답변을 드릴 수 있겠습니다.그리고 coating방법에 있어서 소재가 무엇인지에 따라서 차이가 있습니다. 소재가 ceramic과 같이 절연체이면 CVD방법을 주로 적용하며,소재가 전도성(금속 또는 절연체 위에는 전도성coating을 하기도 함)이면 전기를 사용하는 DC sputter방법이 주로 사용됩니다.도막의 두께는 반복하여 시행함으로써 표준을 잡아나가야 합니다. 어떠한 방법이 좋다 라는 것은 단정하기가 어렵습니다. 박막에 관하여 다음의 서적을 추천합니다. (1)박막공학의 기초(박막기술의 기초이론과 응용) 저자:최시영 역 출판사:일진사 가격:17,000원 (2)박막화 기술 저자:와사기요다까 외 번역:원용신 역 출판사:겸지사 가격:16,000원 (3)박막형성기술 한국과학기술정보연구원 편 가격은 모르겠음
    jdj1028님 께서 MoO3의 박막에 관하여 일반적인 사항을 말씀하시는 것 같은데,MoO3는 electric-switching기능을 가지고 있습니다. WO3도 3차원 터널구조인 격자구조로써 격자사이에 Li+이온등이 intercalation될 수 있습니다.여기에서 가장 큰 특징은 Li+ ion이 intercalation되면 MoO3-WO3 mixed oxide material 이 투명으로 변화하는 특성을 가지고 있습니다. 따라서 Li+ intercalated MoO3-WO3로써 Transparent coating을 만들 수 있습니다.이에 따라서 (1)TCO(transparent conducting oxide film)을 만들 수 있으며,(2)Ag,Au,Pt등을 doping한 Se-Mo-WOx type으로써 Transparent photocatalytic film을 만들 수 있으며,(3)Zn-Mo-WOx type으로써 Transparent anti-reflection coating을 만들 수 있으며,(4)Electric-switching기능에 의하여 일명 “Smart window“를 만들 수 있습니다. 따라서 jdj1028님께서 어떠한 분야에 대하여 관심이 있으신지에 대하여 알아야 정확한 답변을 드릴 수 있겠습니다.그리고 coating방법에 있어서 소재가 무엇인지에 따라서 차이가 있습니다. 소재가 ceramic과 같이 절연체이면 CVD방법을 주로 적용하며,소재가 전도성(금속 또는 절연체 위에는 전도성coating을 하기도 함)이면 전기를 사용하는 DC sputter방법이 주로 사용됩니다.도막의 두께는 반복하여 시행함으로써 표준을 잡아나가야 합니다. 어떠한 방법이 좋다 라는 것은 단정하기가 어렵습니다. 박막에 관하여 다음의 서적을 추천합니다. (1)박막공학의 기초(박막기술의 기초이론과 응용) 저자:최시영 역 출판사:일진사 가격:17,000원 (2)박막화 기술 저자:와사기요다까 외 번역:원용신 역 출판사:겸지사 가격:16,000원 (3)박막형성기술 한국과학기술정보연구원 편 가격은 모르겠음
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    김남훈님의 답변

    >최종 구현하고자 하는 thin film의 물질을 서로 다른 방법에 의해 진행했을 시 >외견상의 차이(조직이나 형상)가 어떤지 궁금합니다. >더불어 결정상에서 차이가 나지는 않겠지만 혹시 다른 부분에 차이가 발생하는 것은 없는지요?? >박막에 대해 여러 자료들이 나와있는데 혹시 초보자가 쉽게 볼수 있는 자료나 서적이 있음 추천바랍니다. >그리고 수많은 박막 처리 방법들이 있는데 금속 혹은 해당 금속의 산화물의 두께를 올리기에 가장 좋은 방법으로는 어떠한 것이 나을지...2~4um 정도까지도 생각중인데 어떠한 방법이 좋을지 추천바랍니다. >현재는 CVD와 DC Sputter 두 방법을 고려 중인데 많은 고견 부탁드립니다. > >그리고 혹시 국내에 Mo(Molybdenum) or MoO3을 이용하여 박막 연구를 하시는 분은 없는지요? 학교나 연구 기관 등 혹시 아시는 분 있으심 답변 부탁드립니다. > >그럼 수고들하세요~~ 우선 앞서 말씀드릴 것은 제가 Thin film이 제 분야는 아니라는 것입니다. 하지만 같이 실험실에 있는 선배가 Sputter를 이용한 (DC/AC 두 가지 다 이용합니다.) 무기 재료와 금속 재료의 증착을 하는 것을 본적 있습니다. 우선 무기 재료는 조금씩 다르게 증착 하지만 처음에는 Screen printing을 이용하여 Thick film을 만든 후 그 위에 금속과 무기 사이의 매개체 역할을 하는 물질을 AC Sputtering을 해 줍니다. 그 위에 Pt를 DC증착을 하게 되는데. (죄송합니다. 제가 자세히 몰라서...) 거기서 생기는 문제점은 금속이 그 중간 매개층을 하는 무기 재료 속으로 약간의 확산이 일어난다는 점입니다. 뭐 아예 안 일어날 수는 없겠지만. 우선은 그것이 문제 였던 것으로 알고 있습니다. 어느 정도 무기 재료의 두께가 있으면 크게 문제는 안 일으키겠지만 박막의 경우 약간의 내부 금속 확산이 일어나게 되면 Electic Shock가 일어나게 될 확율이 커지는 관계로 조금 그 부분이 걱정 되는군요.. 이상 허접한 답변이였습니다.
    >최종 구현하고자 하는 thin film의 물질을 서로 다른 방법에 의해 진행했을 시 >외견상의 차이(조직이나 형상)가 어떤지 궁금합니다. >더불어 결정상에서 차이가 나지는 않겠지만 혹시 다른 부분에 차이가 발생하는 것은 없는지요?? >박막에 대해 여러 자료들이 나와있는데 혹시 초보자가 쉽게 볼수 있는 자료나 서적이 있음 추천바랍니다. >그리고 수많은 박막 처리 방법들이 있는데 금속 혹은 해당 금속의 산화물의 두께를 올리기에 가장 좋은 방법으로는 어떠한 것이 나을지...2~4um 정도까지도 생각중인데 어떠한 방법이 좋을지 추천바랍니다. >현재는 CVD와 DC Sputter 두 방법을 고려 중인데 많은 고견 부탁드립니다. > >그리고 혹시 국내에 Mo(Molybdenum) or MoO3을 이용하여 박막 연구를 하시는 분은 없는지요? 학교나 연구 기관 등 혹시 아시는 분 있으심 답변 부탁드립니다. > >그럼 수고들하세요~~ 우선 앞서 말씀드릴 것은 제가 Thin film이 제 분야는 아니라는 것입니다. 하지만 같이 실험실에 있는 선배가 Sputter를 이용한 (DC/AC 두 가지 다 이용합니다.) 무기 재료와 금속 재료의 증착을 하는 것을 본적 있습니다. 우선 무기 재료는 조금씩 다르게 증착 하지만 처음에는 Screen printing을 이용하여 Thick film을 만든 후 그 위에 금속과 무기 사이의 매개체 역할을 하는 물질을 AC Sputtering을 해 줍니다. 그 위에 Pt를 DC증착을 하게 되는데. (죄송합니다. 제가 자세히 몰라서...) 거기서 생기는 문제점은 금속이 그 중간 매개층을 하는 무기 재료 속으로 약간의 확산이 일어난다는 점입니다. 뭐 아예 안 일어날 수는 없겠지만. 우선은 그것이 문제 였던 것으로 알고 있습니다. 어느 정도 무기 재료의 두께가 있으면 크게 문제는 안 일으키겠지만 박막의 경우 약간의 내부 금속 확산이 일어나게 되면 Electic Shock가 일어나게 될 확율이 커지는 관계로 조금 그 부분이 걱정 되는군요.. 이상 허접한 답변이였습니다.
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    고상운님의 답변

    >최종 구현하고자 하는 thin film의 물질을 서로 다른 방법에 의해 진행했을 시 >외견상의 차이(조직이나 형상)가 어떤지 궁금합니다. >더불어 결정상에서 차이가 나지는 않겠지만 혹시 다른 부분에 차이가 발생하는 것은 없는지요?? >박막에 대해 여러 자료들이 나와있는데 혹시 초보자가 쉽게 볼수 있는 자료나 서적이 있음 추천바랍니다. >그리고 수많은 박막 처리 방법들이 있는데 금속 혹은 해당 금속의 산화물의 두께를 올리기에 가장 좋은 방법으로는 어떠한 것이 나을지...2~4um 정도까지도 생각중인데 어떠한 방법이 좋을지 추천바랍니다. >현재는 CVD와 DC Sputter 두 방법을 고려 중인데 많은 고견 부탁드립니다. > >그리고 혹시 국내에 Mo(Molybdenum) or MoO3을 이용하여 박막 연구를 하시는 분은 없는지요? 학교나 연구 기관 등 혹시 아시는 분 있으심 답변 부탁드립니다. > >그럼 수고들하세요~~ 금속 혹은 해당 금속의 산화물의 두께를 올리는 방법에는 스퍼터링 방식이 좋지 않을까 생각됩니다.(특히, 두께가 2~4미크론이라면....) 혹은 최근에는 도금방식이 도입되고 있습니다.
    >최종 구현하고자 하는 thin film의 물질을 서로 다른 방법에 의해 진행했을 시 >외견상의 차이(조직이나 형상)가 어떤지 궁금합니다. >더불어 결정상에서 차이가 나지는 않겠지만 혹시 다른 부분에 차이가 발생하는 것은 없는지요?? >박막에 대해 여러 자료들이 나와있는데 혹시 초보자가 쉽게 볼수 있는 자료나 서적이 있음 추천바랍니다. >그리고 수많은 박막 처리 방법들이 있는데 금속 혹은 해당 금속의 산화물의 두께를 올리기에 가장 좋은 방법으로는 어떠한 것이 나을지...2~4um 정도까지도 생각중인데 어떠한 방법이 좋을지 추천바랍니다. >현재는 CVD와 DC Sputter 두 방법을 고려 중인데 많은 고견 부탁드립니다. > >그리고 혹시 국내에 Mo(Molybdenum) or MoO3을 이용하여 박막 연구를 하시는 분은 없는지요? 학교나 연구 기관 등 혹시 아시는 분 있으심 답변 부탁드립니다. > >그럼 수고들하세요~~ 금속 혹은 해당 금속의 산화물의 두께를 올리는 방법에는 스퍼터링 방식이 좋지 않을까 생각됩니다.(특히, 두께가 2~4미크론이라면....) 혹은 최근에는 도금방식이 도입되고 있습니다.
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    안길홍님의 답변

    Mo는 금속인 관계로 취급하지 않았으며,MoO3에 관하여서는 그동안 몇가지를 test하여 왔습니다. 질문하시는 내용으로 MoO3를 어떠한 용도로 진행하실려는지 궁금합니다. MoO3는 2차원 층상구조로써 이온반경이 작은 Li+ion등을 격자내로 intercalation할 수 있습니다.그리고 활성점으로써 Ag,Au,Pt,Rh,Ru등과 같은 금속을 사용할 수 있으며,V2O5 , Co3O4 또는 WO3등과 같이 사용되어집니다. Mo 또는 MoO3를 적용하고자 하는 목적 이나 용도에 관하여 다시 한번더 질문에 올려주시기 바랍니다. MoO3에 관한 참고자료 1가지를 첨부file로 올립니다.
    Mo는 금속인 관계로 취급하지 않았으며,MoO3에 관하여서는 그동안 몇가지를 test하여 왔습니다. 질문하시는 내용으로 MoO3를 어떠한 용도로 진행하실려는지 궁금합니다. MoO3는 2차원 층상구조로써 이온반경이 작은 Li+ion등을 격자내로 intercalation할 수 있습니다.그리고 활성점으로써 Ag,Au,Pt,Rh,Ru등과 같은 금속을 사용할 수 있으며,V2O5 , Co3O4 또는 WO3등과 같이 사용되어집니다. Mo 또는 MoO3를 적용하고자 하는 목적 이나 용도에 관하여 다시 한번더 질문에 올려주시기 바랍니다. MoO3에 관한 참고자료 1가지를 첨부file로 올립니다.
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    이세종님의 답변

    >최종 구현하고자 하는 thin film의 물질을 서로 다른 방법에 의해 진행했을 시 >외견상의 차이(조직이나 형상)가 어떤지 궁금합니다. >더불어 결정상에서 차이가 나지는 않겠지만 혹시 다른 부분에 차이가 발생하는 것은 없는지요?? >박막에 대해 여러 자료들이 나와있는데 혹시 초보자가 쉽게 볼수 있는 자료나 서적이 있음 추천바랍니다. >그리고 수많은 박막 처리 방법들이 있는데 금속 혹은 해당 금속의 산화물의 두께를 올리기에 가장 좋은 방법으로는 어떠한 것이 나을지...2~4um 정도까지도 생각중인데 어떠한 방법이 좋을지 추천바랍니다. >현재는 CVD와 DC Sputter 두 방법을 고려 중인데 많은 고견 부탁드립니다. > >그리고 혹시 국내에 Mo(Molybdenum) or MoO3을 이용하여 박막 연구를 하시는 분은 없는지요? 학교나 연구 기관 등 혹시 아시는 분 있으심 답변 부탁드립니다. > >그럼 수고들하세요~~ 현재 제가 회사에서 Mo depsition/etch 를 이용한 MEMS device를 만들고 있습니다. 아쉽게도 미국 산호세 입니다. 저희는 PVD Sputtering 방법을 사용하구요. Mo의 어떤점이 궁금하신지요? O 와 반응하면 MoOx의 두께가 증가하여 Gap filling이 가능하구요 산화되도 전기전도도가 여전하여 Conductor성질을 가집니다. Wet/Dry etch 가능하구요 특히 Dry etch시 F와 반응하여 residue를 남김니다. F와의 결합상태에 따라서 승화점이 달라집니다.
    >최종 구현하고자 하는 thin film의 물질을 서로 다른 방법에 의해 진행했을 시 >외견상의 차이(조직이나 형상)가 어떤지 궁금합니다. >더불어 결정상에서 차이가 나지는 않겠지만 혹시 다른 부분에 차이가 발생하는 것은 없는지요?? >박막에 대해 여러 자료들이 나와있는데 혹시 초보자가 쉽게 볼수 있는 자료나 서적이 있음 추천바랍니다. >그리고 수많은 박막 처리 방법들이 있는데 금속 혹은 해당 금속의 산화물의 두께를 올리기에 가장 좋은 방법으로는 어떠한 것이 나을지...2~4um 정도까지도 생각중인데 어떠한 방법이 좋을지 추천바랍니다. >현재는 CVD와 DC Sputter 두 방법을 고려 중인데 많은 고견 부탁드립니다. > >그리고 혹시 국내에 Mo(Molybdenum) or MoO3을 이용하여 박막 연구를 하시는 분은 없는지요? 학교나 연구 기관 등 혹시 아시는 분 있으심 답변 부탁드립니다. > >그럼 수고들하세요~~ 현재 제가 회사에서 Mo depsition/etch 를 이용한 MEMS device를 만들고 있습니다. 아쉽게도 미국 산호세 입니다. 저희는 PVD Sputtering 방법을 사용하구요. Mo의 어떤점이 궁금하신지요? O 와 반응하면 MoOx의 두께가 증가하여 Gap filling이 가능하구요 산화되도 전기전도도가 여전하여 Conductor성질을 가집니다. Wet/Dry etch 가능하구요 특히 Dry etch시 F와 반응하여 residue를 남김니다. F와의 결합상태에 따라서 승화점이 달라집니다.
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