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>오메가 스캔, 파이 스캔, 쎄타-투쎄타 스캔 법에대하여 공부하게 되었는데요 > >스캔 방법에 대한 논문이나 자료를 구하기 어려워서 묻습니다. > >스캔 방법과 스캔을 하면 어떤것을 얻을수 있는지 궁금합니다. > >자료에 관한 싸이트 주소 부탁드립니다.(__) 도움이 되셨으면 좋겠습니다. 1) θ - 2θ 축으로 주사 가장 일반적인 방법으로 X-선원과 시편이 이루는 각도를 θ라고 할 때, X-선원과 검출기가 이루는 각도가 항상 2θ를 이루는 측정방법을 말한다. 2θ 의 범위만 입력하면 Θ의 범위는 자동적으로 2θ의 1/2로 정해진다. 예를 들어 2θ=20°- 60°를 입력하면, θ가 10°부터 1°이동하여 11°가 되면, 2θ는 20°부터 2°를 이동하여 22°가 되고, θ가 30°가 되면 2θ는 60°가 된다. 이 경우에는 Bragg's law()에 의해 시편 표면에 평행한 결정면만 회절에 기여한다. (1) 다결정 시편 분말시료와 같은 다결정 시편은 시편 표면에 평행한 결정면을 모두 가지고 있기 때문에 각각의 결정면들의 회절선이 나타나게 된다. (2) 단결정 시편 Si wafer와 같은 단결정 시편은 시편 표면에 평행한 결정면을 하나만 가지고 있기 때문에 그 결정면의 회절선만 크게 나타나게 된다. (3) 방향성을 갖는 시편 방향성을 갖는 시편은 박막을 제조하는 경우나 압연하는 경우에 종종 발생하게 되는데, 이때는 다결정 시편과 단결정 시편의 혼합으로 생각할 수 있고, 방향성의 정도에 따라 혼합비가 달라진다고 할 수 있다. 상대강도의 값을 비교함으로써 방향성의 정도를 비교할 수 있다. 2) 2θ 축으로 주사 (Fixed - θ scan) X-선원과 시편이 이루는 각도를 α로 일정하게 고정하고 X-선원과 검출기가 이루는 각도, 2θ 만을 변화시켜 주는 측정 방법이다. 예를 들어 α=2°, 2θ=20°- 60°를 입력하게 되면, 시편은 2°로 일정하게 유지하면서 검출기만 20°부터 60°까지 측정한다. 이 방법은 얇은 박막을 측정하는 경우에 X-선이 박막에 맞는 양을 늘려주기 위해서 사용하게 되는데, 이 경우에는 방향성을 알 수 없다. 이 방법을 사용하면 단결정 기판에서 나타나는 강한 기판 peak로부터 검출기를 보호할 수 있다. 3) θ 축으로 주사 (Fixed -2θ scan, Rocking-curve) X-선원과 검출기의 각도를 2θ로 일정하게 고정시키고 시편을 θ의 위치부분에서 변화시켜 주는 방법이다. 이 방법은 시편의 방향성의 정도를 알아보는 방법으로 Rocking curve의 폭이 작을수록 방향성이 크다는 것을 의미한다. Crystal M은 단결정으로 X-선 빔을 단색 평행빔으로 만들어 주는 역할을 한다. 그러나 이 방법으로는 박막이 우선방위 성장을 한 것인지 epitaxial 성장을 한 것인지 알아볼 수 없으며, 이를 알아보기 위해서는 Pole-figure를 측정하여야 한다. 4) Θ - Θ 축으로 주사 근본적으로 θ - 2θ 축으로 주사하는 것과 같은 방법이다. 그러나 이 방법에서는 시료는 움직이지 않고, X-선원과 검출기가 시편에 대해 θ - θ 로 움직인다. 이 방법은 분말이나 액상 시료를 측정할 때, 시료가 흘러내리지 않도록 할 수 있다는 장점이 있다. http://phys.kookmin.ac.kr/~cskim/lecture/xrd/xrd.html 참조하시기 바랍니다. 즐공되세요.