2007-10-01
org.kosen.entty.User@5140614b
권재환(dukekjh)
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1. pin 구조에서 i-layer 두께가 최소 1마이크로미터는 되야한다고 하는데 ..
두께에 따른 흡수율 변화나 그런게 차이가 많이 나나요?
2.전극으로 Ag나 Al을 쓰는 이유는 무엇인지도 궁금하구요..
3. ZnO 사용시 al doping 하는데.. ald 도핑말고는 방법이 없는지.. 스퍼터링 아주 얇게 하면 안되는 거겠죠.. 제가 워낙 몰라서..
* 저희는 LPCVD 로 a-si dep 을 하는데 1마이크로 올리려면 상당히 시간이 오래걸리는데
PE로 하면 얼마나 걸리는지 알수있을가요..? 아님 LP로 a-si 저두께 dep 해보신분 계신가요?
이번에 저희랩이 솔라셀을 처음 시작하려고하는데... 논문을 찾는다고 찾고 있는 중인데..
교수님이 i-layer 두께가 다르면 어떻게 되는지 , 전극은 왜 al이나 ag 쓰는지 물어 보실때 마
다 대답을 못해서..
도움좀 주시면 정말 감사드리겠습니다
- solar cell
- pin
- ZnO
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답변 2
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답변
안길홍님의 답변
2007-10-01- 0
solar cell에 대하여 처음한다고 하니 다음자료를 참고바라며 (1)전극은 Al 이나 Ag를 사용합니다. Ag가격이 비싸므로 Al이 많이 사용됩니다. (2)Silicon/insulation/ZnO type을 이야기 하는 것 같은데 insulation의 두께가 1 micron이하로 하는 것이 좋습니다. insulation은 효율을 올리기 위하여 취하는 구조입니다.즉,공간전하영역내에서의 충돌전리에 의해 광전류가 증폭되도록 한것입니다. (3)ZnO는 bandgap energy가 3.2eV로써 잘 사용하지 않는데요-solar cell에 (4)ZnO에 Al doping한다는 것은 ZnO를 n-type으로 만들고자 하는 의도같습 니다. 즉,Zn의 최외곽 전자의 수가 2개이고, Al의 최외곽전자는 3개이므로 doping되면 Al 전자 1개가 Zn으로 주게(donor)되므로 Zn의 전자는 과잉이 되는 것입니다.그러나 ZnO는 자체가 n-type인데 doping하는 사유는?어떠한 것인지요? doping한다면 Al외에도 Boron,Ga,In을 dopant로 사용할 수 있습니다. 아마 의도하는 바가 p-type Silicon/insulation/n-type ZnO(Transparent conducting oxide)같은데요?만일 그렇다면 In도 doping하여 Al과 비교하여 보시기 바랍니다. 그러나 Inorganic물질이 여러겹으로 적층이 되면 그만큼 층간의 부착력에 대하여 주의를 기하여야 합니다. -
답변
윤제정님의 답변
2007-10-04- 0
저는 유기반도체 태양전지를 연구하고있습니다만 어깨너머로 배운 무기태양전지나 염료감응형태양전지 중 생각나는것 일부를 말씀드리면 Zno 관련- p 타입제조가 관건입니다. 일부저널에의하면 열처리 팩터를 가지고 p 타입을 얻었다는 논문도있습니다. 두께 관련-태양전지 고효율을위한 첫단계가 빛의 흡수가됩니다. AR 코팅을하는이유가 되겠지요 밴드갭과 관련한 광학적 투명도와 생성된 캐리어가 재결합되지않고 전극으로 이동하기에 충분히 짧은 거리가 되어야합니다. 참고로 유기반도체 태양전지의 최적 엑티브레이어 두께는 100nm이고 양전극의 work function 비대칭이 되어야하는이유는 생성된 캐리어 이동의 driving force로 필수적입니다. 염료감응형 태양전지의 광전극(타이타니아층)두께 10마이크로 정도라고합니다.