2007-10-10
org.kosen.entty.User@1d1620c
박재경(espjk)
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hf silicate를 etching할 때 dry etching과 wet etching중 어떤 방식이 더 적합한지 알고 싶습니다.
hf silicate의 etching을 할 때 조건을 정해야 하는데 silicate에 관련된 자료는 없네요.
논문이나 저널 등 자료가 있으시면 부탁드리겠습니다.
- hf silicate
- etching
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답변 2
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안길홍님의 답변
2007-10-10- 0
High-k coating막의 etching을 하고자 하시는 모양이지요. 먼저 어떠한 장비가 있는지 모르겠으나,Hf silicate는 plasma건식etching방법을 선택하시는 것이 좋습니다. 관련사항으로 KOSEN의 whatis?에서 No.5530의 답변중에서 Etching 관련 추가자료를 참고하여 주시기 바랍니다. -
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김정렬님의 답변
2007-10-12- 0
Hf doped silicate 를 에칭할 때에는 저는 거의 Silicate 를 에칭하는 용액을 자주 사용하였습니다. HF 나 기타 MEMS 용으로 사용하는 것입니다. 하지만, 여기에서 사용할 것은 용도에 따라 드릅니다. 저는 MEMS 로 간단하게 구조체를 사용하였기에 말씀드립니다. 그리고, 반도체 공정용으로 아주 좋은 aspect ratio를 얻는 방법에는 잘 사용하지 않습니다. 1. 등방 식각 2. 비등방 식각 으로 판단을 하셔야 할 것으로 보입니다. 등방 식각에는 전체적으로 날려버리는 것으로 이용하고요, deep trech 구조를 구할 때에는 앞서 말씀해 주신 분의 의견으로 Plasma etching 으로 사용합니다. 이 장비는 KETI 에 있는 장비를 이용하는데, 아주 잘 나옵니다. side wall 의 스캘럽도 거의 없습니다. 이것을 이용하시면 좋은 결과를 얻을 수 있을 것으로 판단됩니다. 도움이 되었으면 합니다.