2007-10-22
org.kosen.entty.User@28a1196d
박재경(espjk)
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mosfet 소자의 gate oxide의 두께가 줄어들면서 새로운 재료로 개발되는 물질이 많이 있습니다.
제가 알고 싶은것은 hfo2나 ZrO2같은 high-k 물질이 아닌 최근 gate oxide에 관련된 기술입니다.
연구되고 있는 high-k에 새로운 기술을 접목시킨다던지 아니면 finfet소자 같은 새로운 기술에 관한 자료를
얻고 싶습니다.
아시는 분은 답변 부탁드립니다.
또한 hfo2와 hf-silicate의 물리적, 화학적, 전기적 특성 차이에 대해서도 알려주세요
- gate oxide
- 3중게이트
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각 분야 한인연구자와 현업 전문가분들의 답변을 기다립니다.
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답변 3
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답변
이영국님의 답변
2007-10-22- 0
첨부파일
기존의 HfO2, ZrO2가 아닌 다른 재료를 이용한 MOS 관련 논문 3편 올립니다. 도움이 되기 바랍니다. -
답변
윤성민님의 답변
2007-10-22- 0
벌써 아랫분이 답변을 해 주셨네요. KOSEN REPORT 분석 자료에 등록되어 있는 제가 분석한 자료는 다음과 같습니다. (저는 한국전자통신연구원 윤성민입니다.) 1. 고유전율 게이트 절연막의 기술 이슈 및 대응 방안 2. CMOS 소자 적용을 위한 고유전율 게이트 절연막 재료의 물리 현상과 전기적인 특성 의 두 건입니다. 제 이름으로 검색하셔도 됩니다. 특히 HfO2와 실리케이트의 각종 물성 차이에 대해서는 비교적 잘 정리되어 있습니다. 고유전율 절연막 관련 재료 물리에 대해 더 관심이 있으시면 다음의 코센 리포트도 참고하시기 바랍니다. 3. 고유전율 게이트절연막 응용을 위한 금속 산화물의 상전이와 유전 특성 고찰 -
답변
장성재님의 답변
2007-10-22- 0
KOSEN REPORTS에서 검색을 해보시면 한국 전자통신 연구원의 윤성민 박사님께서 작성하신 게이트 절연체에 관한 자료를 찾으실 수 있습니다.